[發(fā)明專利]抗靜電性剝離薄膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380039382.2
• 申請(qǐng)日: 2013-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN104507671B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 長(zhǎng)島稔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 迪睿合電子材料有限公司
• 主分類號(hào): B32B9/00
• 分類號(hào): B32B9/00;B32B27/00;C09J7/02
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李志強(qiáng),劉力

1.抗靜電性剝離薄膜，所述抗靜電性剝離薄膜是在基底薄膜的一面形成抗靜電層、在所述抗靜電層上進(jìn)一步形成硅酮類剝離層而成，其中，所述抗靜電層含有以下成分(a)~(c)：

(a) 使硅酸烷基酯的水解物與偶聯(lián)劑發(fā)生縮合反應(yīng)而得到的縮合反應(yīng)物，

(b) 水溶性成膜用樹脂，和

(c) 抗靜電劑。

2.權(quán)利要求1的抗靜電性剝離薄膜，其中，硅酸烷基酯為以式(1)表示的化合物：

在式(1)中，R1為烷基，n為1以上的整數(shù)。

3.權(quán)利要求1或2的抗靜電性剝離薄膜，其中，硅酸烷基酯的水解物的數(shù)均分子量為200~500。

4.權(quán)利要求2的抗靜電性剝離薄膜，其中，R1為碳原子數(shù)1~3的烷基，n為3~8的整數(shù)。

5.權(quán)利要求4的抗靜電性剝離薄膜，其中，R1為甲基，n為5。

6.權(quán)利要求1~2、4~5中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，硅酸烷基酯的水解程度為所有OR1基的數(shù)量的50%以上被水解而生成羥基的程度。

7.權(quán)利要求1~2、4~5中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，偶聯(lián)劑為以式(2)表示的化合物：

在式(2)中，R2為可被烷氧基取代的烷基或酰氧基，Y為縮水甘油基氧基、環(huán)氧基、氨基、乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯酰氧基、巰基、異氰酸酯基或脲基、碳原子數(shù)1~3的烷硫基，p為0~2的整數(shù)，q為0~3的整數(shù)。

8.權(quán)利要求7的抗靜電性剝離薄膜，其中，R2為甲基，Y為縮水甘油基氧基，p為0，q為3。

9.權(quán)利要求1~2、4~5和8中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，縮合反應(yīng)物為使200~300質(zhì)量份的偶聯(lián)劑與100質(zhì)量份的硅酸烷基酯的水解物發(fā)生縮合反應(yīng)而得。

10.權(quán)利要求1~2、4~5和8中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，水溶性成膜用樹脂為相對(duì)于100g的20℃的水至少溶解10g的聚酯樹脂。

11.權(quán)利要求1~2、4~5和8中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，成分(c)的抗靜電劑為導(dǎo)電性高分子。

12.權(quán)利要求11的抗靜電性剝離薄膜，其中，導(dǎo)電性高分子具有以下列式(3)或(4)表示的結(jié)構(gòu)：

在式中，m為重復(fù)單元數(shù)。

13.權(quán)利要求1~2、4~5、8和12中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜，其中，抗靜電層含有45~65質(zhì)量%的成分(a)的縮合反應(yīng)物、10~30質(zhì)量%的成分(b)的水溶性成膜用樹脂、20~30質(zhì)量%的成分(c)的抗靜電劑，成分(a)與成分(b)的質(zhì)量基準(zhǔn)的含量比為100:200~300。

14.帶有剝離薄膜的膠帶，其中，在權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)的抗靜電性剝離薄膜上層壓有雙面粘合薄膜。

15.權(quán)利要求14的帶有剝離薄膜的膠帶，其中，雙面粘合薄膜為各向異性導(dǎo)電薄膜。