[發明專利]用于垂直MTJ的非晶態合金間隔物有效
| 申請號： | 201380039270.7 | 申請日： | 2013-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN104488102B | 公開（公告）日： | 2017-05-03 |
| 發明（設計）人： | K·李;W-C·陳;S·H·康 | 申請（專利權）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 垂直 mtj 非晶態合金 間隔 | ||
1.一種垂直磁性隧道結MTJ裝置，包括：
沉積在自由層與參考層之間的隧道勢壘層；
沉積在所述隧道勢壘層與所述參考層之間的隧道磁阻TMR增強緩沖層；以及
沉積在所述TMR增強緩沖層與所述參考層之間的非晶態合金TMR增強間隔物。
2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述TMR增強間隔物包括：
Fe/Ta、Co/Ta、FeB/Ta、Fe/TaN和/或FeB/TaN的超晶格或合金。
3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述TMR增強間隔物的厚度在與之間。
4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、計算機、便攜式數據單元和/或固定位置數據單元中。
5.一種用于構造垂直磁性隧道結MTJ裝置的方法，包括：
在自由層與參考層之間沉積隧道勢壘層；
在所述隧道勢壘層與所述參考層之間沉積隧道磁阻TMR增強緩沖層；以及
在所述TMR增強緩沖層與所述參考層之間沉積非晶態合金TMR增強間隔物。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，
所述TMR增強間隔物包括Fe/Ta、Co/Ta、FeB/Ta、Fe/TaN和/或FeB/TaN的超晶格或合金。
7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，進一步包括：
將所述非晶態合金TMR增強間隔物沉積成具有在與之間的厚度。
8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，進一步包括將所述垂直MTJ裝置集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、計算機、便攜式數據單元和/或固定位置數據單元中。
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