[發(fā)明專利]生成硅化物的電解方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380039005.9
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN104487614A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設計）人: D·卡佐利斯;羅伯特·托馬斯·拉森;羅伯特·摩根
• 申請（專利權）人: 道康寧公司
• 主分類號: C25B1/14
• 分類號: C25B1/14;C25B1/18;C01B33/06
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 程爽;鄭霞

1.一種方法，包括：

(i)加熱鹽，所述鹽包含(a)式MX_a的金屬鹵化物，其中M選自Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Al以及它們的組合，下標a為1或更大的整數，并且每個X獨立地為鹵素原子，從而制備熔融鹽；

(ii)將氣體引入到所述熔融鹽中，所述氣體包含式H_bSiX_(4-b)的硅烷，其中下標b為0至4的整數，并使電流通過所述熔融鹽，從而生成包含金屬硅化物的電解產物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中滿足條件(a)和(b)中的一者，并且

條件(a)為M為Al、K、Li、Mg、Na或它們的組合；或者

條件(b)為M為Al、Ca、Mg或它們的組合。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述鹽還包含成分(b)和(c)中的至少一種，其中

成分(b)為選自Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Al或它們的組合的金屬，并且

成分(c)為離子液體。

4.根據權利要求3所述的方法，其中滿足條件(i)和(ii)中的一者，并且

條件(i)為(b)所述金屬為Al、K、Li、Mg、Na或它們的組合；或者

條件(ii)為(b)所述金屬為Al、Ca、Mg或它們的組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其中b為0至3。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：在步驟(i)之前干燥所述鹽。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟(ii)中的氣體還包含H₂。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括(iii)從所述電解產物中回收包含金屬硅化物的產物。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述方法步驟在惰性氣氛下執(zhí)行。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述電解產物包括

(A)所述金屬硅化物，以及

(B)含有X₂的第二產物。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：(iv)從所述電解產物中回收所述第二產物，并且任選地將所述X₂再循環(huán)到用于生成HX的方法和/或再循環(huán)到生成SiX₄的碳鹵化反應。

12.根據權利要求10或權利要求11所述的方法，還包括(v)使式HX的鹵化物與包含所述金屬硅化物的所述電解產物(或從所述電解產物中回收的所述金屬硅化物)反應，從而制備包括下列的反應產物：

(1)含有式SiH₄、HSiX₃、H₂SiX₂和/或H₃SiX的一種或多種氫化硅烷的產物；以及

(2)含有MX_a的第三產物。

13.根據權利要求10或權利要求11所述的方法，還包括(v)使所述電解產物(或從所述電解產物中回收的所述金屬硅化物)與水性酸反應，從而制備包括下列的反應產物：

(1)含有式SiH₄、HSiX₃、H₂SiX₂或H₃SiX的一種或多種氫化硅烷；和/或式H_cSi_dX_e的聚硅烷的第四產物，其中下標c為1或更大的整數，下標d為2或更大的整數，并且下標e為0或更大的整數，以及

(2)含有水性MX_a的第五產物。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括：將所述水性MX_a脫水。

15.根據權利要求12或權利要求14所述的方法，還包括(vi)將所述MX_a在步驟(i)中再循環(huán)。

16.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中每個X為Cl。

17.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中每個M為Mg。