[發明專利]整體碳納米管和金屬復合材料及制備方法

有效

• 申請號: 201380038990.1
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN104603885B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: J·A·瓦森克祖克
• 申請（專利權）人: 波音公司
• 主分類號: H01B1/04
• 分類號: H01B1/04;H01B1/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司11245
• 代理人: 趙蓉民,張全信

1.整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)，其至少包括連接至第二整體碳納米管和金屬復合材料(10)的第一整體碳納米管和金屬復合材料(10)，所述第一整體碳納米管和金屬復合材料以及所述第二整體碳納米管和金屬復合材料包括：

含有多個碳納米管的整體碳納米管材料層(12)；和

施加在所述整體碳納米管材料層(12)上的金屬膜(14)，所述金屬膜(14)滲透進入單個碳納米管之間的空隙以減少所述多個碳納米管之間的電阻，其中所述整體碳納米管材料層(12)是無紡片和紗的至少一種，并且其中至少一部分所述多個碳納米管未被所述金屬膜覆蓋，并且

其中利用超聲波焊接方法和超聲波增材制造方法的至少一種連接所述第二整體碳納米管和金屬復合材料(10)至所述第一整體碳納米管和金屬復合材料(10)。

2.根據權利要求1所述的整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)，其中所述多個碳納米管的至少一部分是金屬碳納米管。

3.根據權利要求1所述的整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)，其中所述多個碳納米管包括單壁碳納米管和多壁碳納米管的至少一種。

4.制備整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)的方法(100)，所述整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)至少包括連接至第二整體碳納米管和金屬復合材料(10)的第一整體碳納米管和金屬復合材料(10)，所述第一整體碳納米管和金屬復合材料以及所述第二整體碳納米管和金屬復合材料通過如下步驟形成：

(102)形成包含多個碳納米管的第一整體碳納米管材料層(12)；以及

(104)在所述整體碳納米管材料層(12)上沉積金屬膜(14)，所述金屬膜(14)滲透進入單個碳納米管之間的空隙以減少所述多個碳納米管之間的電阻，其中所述整體碳納米管材料層(12)是無紡片和紗的至少一種，并且其中至少一部分所述多個碳納米管未被所述金屬膜覆蓋，

所述方法包括利用超聲波焊接方法和超聲波增材制造方法的至少一種連接所述第二整體碳納米管和金屬復合材料(10)至所述第一整體碳納米管和金屬復合材料(10)以形成所述整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)。

5.根據權利要求4所述的制備整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)的方法(100)，其中沉積所述金屬膜(14)包括利用化學氣相沉積方法、化學鍍膜方法、濺射方法和物理氣相沉積方法的至少一種將所述金屬膜(14)施加在所述整體碳納米管材料層(12)上。

6.根據權利要求4所述的制備整體碳納米管和金屬復合材料帶(20)的方法(100)，其中沉積所述金屬膜(14)包括將鋁、鎳、銅、鈦、銀、金和鉻的至少一種施加在所述整體碳納米管材料層(12)上。