[發(fā)明專利]增加的到納米孔中的分子捕獲率有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380038979.5 | 申請日： | 2013-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN104487836B | 公開（公告）日： | 2017-03-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭紅波;G·A·斯托洛維茨基;王德強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 國際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號： | G01N27/447 | 分類號： | G01N27/447 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所11247 | 代理人： | 牛南輝,于靜 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 增加 納米 中的 分子 捕獲 | ||
1.一種用于捕獲分子的方法，所述方法包括：
提供通過將第一腔和第二腔分開的膜的納米孔，所述納米孔、所述第一腔和所述第二腔填充有離子緩沖物；
在所述第一腔的中間區(qū)域處提供窄頸部，在所述中間區(qū)域處的所述窄頸部被對準(zhǔn)到所述納米孔的入口；
將所述窄頸部配置為，與包括低強(qiáng)度電場的所述第一腔的其它區(qū)域相比，所述窄頸部包括高強(qiáng)度電場；以及
將所述窄頸部配置為包括所述高強(qiáng)度電場，所述高強(qiáng)度電場在對準(zhǔn)到所述納米孔的所述入口的所述中間區(qū)域處集中分子；
其中，在所述第一腔和所述第二腔之間施加的電壓驅(qū)動被集中在所述納米孔的所述入口處的所述分子通過所述納米孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一腔包括在所述窄頸部的一側(cè)上的左部分和在所述窄頸部的另一側(cè)上的右部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述窄頸部接合所述第一腔的左部分和右部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，當(dāng)所述左部分和所述右部分接近所述窄頸部時，所述左部分和所述右部分的尺寸減少。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，與所述第一腔的所述左部分和所述右部分中的低電流密度相比，所述第一腔的所述窄頸部包括較高電流密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述窄頸部中的所述較高電流密度對應(yīng)于在所述中間區(qū)域處的所述窄頸部中的所述高強(qiáng)度電場，以在所述納米孔的所述入口處集中所述分子。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述分子被初始填充在所述第一腔的所述左部分和所述右部分中的至少一個中，以被捕獲在所述納米孔中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述高強(qiáng)度電場導(dǎo)致所述分子被吸引到與所述納米孔對準(zhǔn)的所述窄頸部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述窄頸部的寬度為1微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述窄頸部的寬度為2微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述窄頸部的尺寸被配置為包含單納米孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述窄頸部的寬度小于所述左部分和所述右部分的寬度的一半。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述左部分和所述右部分的寬度以一角度減少，以形成所述窄頸部的寬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述左部分包括低強(qiáng)度電場。
15.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述右部分包括低強(qiáng)度電場。
16.一種用于捕獲分子的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：
通過將第一腔和第二腔分開的膜的納米孔，所述納米孔、所述第一腔和所述第二腔填充有離子緩沖物；
在所述第一腔的中間區(qū)域處的窄頸部，在所述中間區(qū)域處的所述窄頸部被對準(zhǔn)到所述納米孔的入口；
所述窄頸部包括與包括低強(qiáng)度電場的所述第一腔的其它區(qū)域相比的高強(qiáng)度電場；以及
所述窄頸部包括在對準(zhǔn)到所述納米孔的所述入口的所述中間區(qū)域處集中分子的所述高強(qiáng)度電場；
其中，在所述第一腔和所述第二腔之間施加的電壓驅(qū)動被集中在所述納米孔的所述入口處的所述分子通過所述納米孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，所述第一腔包括在所述窄頸部的一側(cè)上的左部分和在所述窄頸部的另一側(cè)上的右部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，所述窄頸部接合所述第一腔的所述左部分和所述右部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，當(dāng)所述左部分和所述右部分接近所述窄頸部時，所述左部分和所述右部分的尺寸減少。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，與所述第一腔的所述左部分和所述右部分中的低電流密度相比，所述第一腔的所述窄頸部包括較高電流密度。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中，所述窄頸部中的所述較高電流密度對應(yīng)于在所述中間區(qū)域處的所述窄頸部中的所述高強(qiáng)度電場，以在所述納米孔的所述入口處集中所述分子。
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