[發(fā)明專利]源自于四官能酰鹵單體的薄膜復(fù)合膜在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380038531.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104470628A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T·L·阿羅伍德;A·A·德塞;S·D·瓊斯;M·保羅;A·羅伊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陶氏環(huán)球技術(shù)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | B01D69/12 | 分類號(hào): | B01D69/12;B01D71/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 吳亦華 |
| 地址: | 美國(guó)密*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 源自 官能 單體 薄膜 復(fù)合 | ||
1.用于制造包括多孔載體和薄膜聚酰胺層的復(fù)合聚酰胺膜的方法,其中所述方法包括向多孔載體的表面施加多官能胺單體和由式(I)表示的四酰鹵單體并界面聚合所述單體以形成薄膜聚酰胺層的步驟;
式(I):
其中A選自:氧(-O-);碳(-C-);硅(-Si-);其各自可以是未取代或被具有1-4個(gè)碳原子的烷基取代的;或羰基(-C(O)-),X是相同或不同的并選自鹵素,和Y選自鹵素和羥基。
2.任一前述權(quán)利要求的方法,其中所述復(fù)合膜具有小于或等于0.04GFD的B值。
3.任一前述權(quán)利要求的方法,其中所述復(fù)合膜具有小于或等于0.03GFD的B值。
4.任一前述權(quán)利要求的方法,其中所述多官能胺單體包含伯氨基官能團(tuán)。
5.任一前述權(quán)利要求的方法,其中所述多官能胺單體是芳族的。
6.任一前述權(quán)利要求的方法,其中所述多官能胺單體包括間苯二胺。
7.任一前述權(quán)利要求的方法,其中式(I)的四酰鹵單體從非極性溶液涂布在所述多孔載體的表面上,其中所述溶液包含選自烷基化苯、鏈烷烴和異鏈烷烴中至少一種的溶劑。
8.權(quán)利要求7的方法,其中所述非極性溶液還包含不同于式(I)表示的單體的多官能酰鹵單體。
9.權(quán)利要求7的方法,其中所述非極性溶液還包含均苯三甲酰氯。
10.任一前述權(quán)利要求的方法,其中所述四酰鹵單體由式(V)表示:
式(V):
其中X是相同或不同的并選自鹵素,和Y選自鹵素和羥基。
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