[發(fā)明專利]鈍化層形成用組合物、帶鈍化層的半導體基板及其制造方法、以及太陽能電池元件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201380038176.X
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN104471719A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設計）人: 足立修一郎;吉田誠人;野尻剛;倉田靖;田中徹;織田明博;早坂剛;服部孝司;松村三江子;渡邊敬司;森下真年;濱村浩孝
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

1.一種鈍化層形成用組合物，其包含：至少一種下述通式(I)所示的烷醇鹽；選自鈦化合物、鋯化合物及烷醇硅中的至少一種化合物；溶劑；和樹脂，

M(OR¹)m??(I)

通式(I)中，M包含選自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一種金屬元素，R¹表示碳數(shù)1～8的烷基或碳數(shù)6～14的芳基，m表示1～5的整數(shù)。

2.根據(jù)權利要求1所述的鈍化層形成用組合物，其中，至少一種所述通式(I)所示的烷醇鹽為M包含Nb的烷醇鹽。

3.根據(jù)權利要求1所述的鈍化層形成用組合物，其中，至少一種所述通式(I)所示的烷醇鹽為M包含Ta、V、Y或Hf的烷醇鹽。

4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其還包含至少一種下述通式(II)所示的鋁化合物，

通式(II)中，R²分別獨立地表示碳數(shù)1～8的烷基，n表示0～3的整數(shù)，X²及X³分別獨立地表示氧原子或亞甲基，R³、R⁴及R⁵分別獨立地表示氫原子或碳數(shù)1～8的烷基。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其中，所述選自鈦化合物、鋯化合物及烷醇硅中的至少一種化合物至少包含所述鈦化合物，所述鈦化合物為選自甲醇鈦、乙醇鈦、異丙醇鈦、正丙醇鈦、正丁醇鈦、叔丁醇鈦、異丁醇鈦、二異丙氧基雙乙酰丙酮鈦及四(2-乙基-1-己醇)鈦中的至少一種。

6.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其中，所述選自鈦化合物、鋯化合物及烷醇硅中的至少一種化合物至少包含所述鋯化合物，所述鋯化合物為選自乙醇鋯、異丙醇鋯、正丙醇鋯、正丁醇鋯、叔丁醇鋯、乙酰丙酮鋯、三氟乙酰丙酮鋯及六氟乙酰丙酮鋯中的至少一種。

7.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其中，所述選自鈦化合物、鋯化合物及烷醇硅中的至少一種化合物至少包含所述烷醇硅，所述烷醇硅為下述通式(III)所示的烷醇硅，

(R⁶O)_(4-m)SiR⁷_m??(III)

通式(III)中，R⁶及R⁷分別獨立地表示碳數(shù)1～8的烷基，m表示0～3的整數(shù)。

8.根據(jù)權利要求1～7中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其中，在所述鈍化層形成用組合物的總質量中，至少一種通式(I)所示的化合物、選自鈦化合物、鋯化合物及烷醇硅中的至少一種化合物以及至少一種通式(II)所示的化合物的含有率為0.1質量％～80質量％。

9.根據(jù)權利要求1～8中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其中，所述溶劑及樹脂的總含有率在所述鈍化層形成用組合物的總質量中為5質量％～98質量％。

10.根據(jù)權利要求1～9中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其用于在半導體基板上的整面或一部分形成鈍化層。

11.一種帶鈍化層的半導體基板，其具有半導體基板和設置于所述半導體基板上的整面或一部分的、權利要求1～10中任一項所述的鈍化層形成用組合物的熱處理物層。

12.一種帶鈍化層的半導體基板的制造方法，其包括：

對半導體基板上的整面或一部分賦予權利要求1～10中任一項所述的鈍化層形成用組合物而形成組合物層的工序；和

對所述組合物層進行熱處理而形成鈍化層的工序。

13.一種太陽能電池元件，其具有：

將p型層及n型層進行pn接合而成的半導體基板；

設置于所述半導體基板上的整面或一部分的鈍化層，所述鈍化層為權利要求1～10中任一項所述的鈍化層形成用組合物的熱處理物層；和

設置于所述p型層及n型層中的至少一方的層上的電極。

14.一種太陽能電池元件的制造方法，其包括：

對將p型層及n型層進行pn接合而成的半導體基板的整面或一部分，賦予權利要求1～10中任一項所述的鈍化層形成用組合物而形成組合物層的工序；

對所述組合物層進行熱處理而形成鈍化層的工序；和

在所述p型層及n型層中的至少一方的層上形成電極的工序。