[發明專利]鈍化層形成用組合物、帶鈍化層的半導體基板、帶鈍化層的半導體基板的制造方法、太陽能電池元件、太陽能電池元件的制造方法及太陽能電池在審
| 申請號: | 201380038106.4 | 申請日: | 2015-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN104508830A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 早坂剛;吉田誠人;野尻剛;倉田靖;田中徹;織田明博;足立修一郎;服部孝司;松村三江子;渡邊敬司;森下真年;濱村浩孝 | 申請(專利權)人: | 日立化成株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈍化 形成 組合 半導體 制造 方法 太陽能電池 元件 | ||
1.一種鈍化層形成用組合物,其包含下述通式(I)所表示的化合物、和選自由脂肪酸酰胺、聚亞烷基二醇化合物及有機填料組成的組中的至少1種,
M(OR1)m?????(I)
式中,M包含選自由Nb、Ta、V、Y及Hf組成的組中的至少1種金屬元素;R1分別獨立地表示碳原子數為1~8的烷基或碳原子數為6~14的芳基;m表示1~5的整數。
2.根據權利要求1所述的鈍化層形成用組合物,其還含有下述通式(II)所表示的化合物,
式中,R2分別獨立地表示碳原子數為1~8的烷基;n表示0~3的整數;X2及X3分別獨立地表示氧原子或亞甲基;R3、R4及R5分別獨立地表示氫原子或碳原子數為1~8的烷基。
3.根據權利要求1或2所述的鈍化層形成用組合物,其包含所述聚亞烷基二醇化合物,且所述聚亞烷基二醇化合物包含選自下述通式(III)所表示的化合物中的至少1種,
式(III)中,R6及R7分別獨立地表示氫原子或烷基,R8表示亞烷基;n為3以上的整數;其中存在多個的R8可以相同也可以不同。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的鈍化層形成用組合物,其包含所述脂肪酸酰胺,且所述脂肪酸酰胺包含選自由下述通式(1)所表示的化合物、(2)所表示的化合物、(3)所表示的化合物及(4)所表示的化合物組成的組中的至少1種,
R9CONH2····(1)
R9CONH-R10-NHCOR9····(2)
R9NHCO-R10-CONHR9····(3)
R9CONH-R10-N(R11)2····(4)
通式(1)、(2)、(3)及(4)中,R9及R11分別獨立地表示碳原子數為1~30的烷基或碳原子數為2~30的烯基,R10表示碳原子數為1~10的亞烷基;多個R11可以相同也可以不同。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的鈍化層形成用組合物,其包含所述有機填料,且所述有機填料包含選自由丙烯酸樹脂、纖維素樹脂及聚苯乙烯樹脂組成的組中的至少1種。
6.一種帶鈍化層的半導體基板,其具有:
半導體基板、和
設置于所述半導體基板上的整面或一部分上的權利要求1~5中任一項所述的鈍化層形成用組合物的熱處理物即鈍化層。
7.一種帶鈍化層的半導體基板的制造方法,其具有以下工序:
在半導體基板上的整面或一部分上賦予權利要求1~5中任一項所述的鈍化層形成用組合物而形成組合物層的工序、和
對所述組合物層進行熱處理而形成鈍化層的工序。
8.一種太陽能電池元件,其具有:
p型層及n型層進行pn接合而成的半導體基板、
設置于所述半導體基板上的整面或一部分上的權利要求1~5中任一項所述的鈍化層形成用組合物的熱處理物即鈍化層、和
配置于選自由所述p型層及所述n型層組成的組中的1個以上的層上的電極。
9.一種太陽能電池元件的制造方法,其具有以下工序:
在具有p型層及n型層接合而成的pn結、且在選自由所述p型層及所述n型層組成的組中的1個以上的層上具有電極的半導體基板的、具有所述電極的面的一個或兩個面上賦予權利要求1~5中任一項所述的鈍化層形成用組合物而形成組合物層的工序;和
對所述組合物層進行熱處理而形成鈍化層的工序。
10.一種太陽能電池,其具有:
權利要求8所述的太陽能電池元件、和
設置于所述太陽能電池元件的電極上的布線材料。
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





