[發明專利]鈍化層形成用組合物、帶鈍化層的半導體基板、帶鈍化層的半導體基板的制造方法、太陽能電池元件、太陽能電池元件的制造方法及太陽能電池

無效

• 申請號: 201380038010.8
• 申請日: 2013-07-19
• 公開（公告）號: CN104471717A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 田中徹;吉田誠人;野尻剛;倉田靖;織田明博;足立修一郎;早坂剛;服部孝司;松村三江子;渡邊敬司;森下真年;濱村浩孝
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

1.一種鈍化層形成用組合物，其含有下述通式(I)所表示的化合物和樹脂，

M(OR¹)_m???(I)

式中，M包含選自由Nb、Ta、V、Y及Hf組成的組中的至少1種金屬元素；R¹分別獨立地表示碳原子數為1～8的烷基或碳原子數為6～14的芳基；m表示1～5的整數。

2.根據權利要求1所述的鈍化層形成用組合物，其還含有下述通式(II)所表示的化合物，

式中，R²分別獨立地表示碳原子數為1～8的烷基；n表示0～3的整數；X²及X³分別獨立地表示氧原子或亞甲基；R³、R⁴及R⁵分別獨立地表示氫原子或碳原子數為1～8的烷基。

3.根據權利要求1或2所述的鈍化層形成用組合物，其中，所述樹脂的含有率為0.1質量％～50質量％。

4.根據權利要求2或3所述的鈍化層形成用組合物，其中，所述通式(II)中，R²分別獨立地為碳原子數為1～4的烷基。

5.根據權利要求2～4中任一項所述的鈍化層形成用組合物，其中，所述通式(II)中，n為1～3的整數，R⁵分別獨立地為氫原子或碳原子數為1～4的烷基。

6.一種帶鈍化層的半導體基板，其具有：

半導體基板、和

設置于所述半導體基板上的整面或一部分上的權利要求1～5中任一項所述的鈍化層形成用組合物的熱處理物即鈍化層。

7.一種帶鈍化層的半導體基板的制造方法，其具有以下工序：

在半導體基板上的整面或一部分上賦予權利要求1～5中任一項所述的鈍化層形成用組合物而形成組合物層的工序；和

對所述組合物層進行熱處理而形成鈍化層的工序。

8.一種太陽能電池元件，其具有：

p型層及n型層進行pn接合而成的半導體基板、

設置于所述半導體基板上的整面或一部分上的權利要求1～5中任一項所述的鈍化層形成用組合物的熱處理物即鈍化層、和

配置于選自由所述p型層及所述n型層組成的組中的1個以上的層上的電極。

9.一種太陽能電池元件的制造方法，其具有以下工序：

在具有p型層及n型層接合而成的pn結、且在選自由所述p型層及所述n型層組成的組中的1個以上的層上具有電極的半導體基板的、具有所述電極的面的一個或兩個面上，賦予權利要求1～5中任一項所述的鈍化層形成用組合物而形成組合物層的工序；和

對所述組合物層進行熱處理而形成鈍化層的工序。

10.一種太陽能電池，其具有：

權利要求8所述的太陽能電池元件、和

配置于所述太陽能電池元件的電極上的布線材料。