[發(fā)明專利]向列液晶組合物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380037940.1 | 申請日: | 2013-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN104471030A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金親昌和;竹內(nèi)清文;大澤政志;東條健太;楠本哲生 | 申請(專利權(quán))人: | DIC株式會社 |
| 主分類號: | C09K19/42 | 分類號: | C09K19/42;C09K19/12;C09K19/14;C09K19/16;C09K19/18;C09K19/20;C09K19/30;C09K19/32;C09K19/34;G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液晶 組合 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及作為電光學(xué)液晶顯示材料有用的介電常數(shù)各向異性(Δε)顯示正值的向列液晶組合物。
背景技術(shù)
液晶顯示元件從用于以時鐘、計算器開始,發(fā)展到用于各種測定設(shè)備、汽車用面板、文字處理器、電子記事本、打印機、電腦、電視機、時鐘、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式,其代表性方式有TN(扭曲向列)型、STN(超扭曲向列)型、使用TFT(薄膜晶體管)的、以垂直取向為特征的VA型及以水平取向為特征的IPS(平面轉(zhuǎn)換)型/FFS型等。這些液晶顯示元件中使用的液晶組合物要求對水分、空氣、熱、光等外界因素穩(wěn)定,此外在以室溫為中心的盡可能寬的溫度范圍內(nèi)顯示液晶相,粘性低,且驅(qū)動電壓低。進而,為了針對各顯示元件將綜合最適的介電常數(shù)各向異性(Δε)或/和折射率各向異性(Δn)等設(shè)為最適的值,液晶組合物由數(shù)種至數(shù)十種化合物構(gòu)成。
垂直取向型顯示器中使用Δε為負的液晶組合物,TN型、STN型或IPS型等水平取向型顯示器中使用Δε為正的液晶組合物。近年來,還報告了使Δε為正的液晶組合物在未施加電壓時垂直取向、通過施加IPS型/FFS型電場來進行顯示的驅(qū)動方式,Δε為正的液晶組合物的必要性進一步提高。另一方面,全部驅(qū)動方式中均要求低電壓驅(qū)動、高速響應(yīng)、寬工作溫度范圍。即,要求Δε為正且絕對值大、粘度(η)小、向列相-各向同性液體相轉(zhuǎn)變溫度(Tni)高。此外,需要通過設(shè)定Δn與單元間隔(d)之積即Δn×d,結(jié)合單元間隔將液晶組合物的Δn調(diào)節(jié)至適當(dāng)?shù)姆秶6遥趯⒁壕э@示元件應(yīng)用于電視機等時重視高速響應(yīng)性,因此要求γ1小的液晶組合物。
作為液晶組合物的組成成分,公開了使用作為Δε為正的液晶化合物的式(A-1)、(A-2)所表示的化合物的液晶組合物(專利文獻1至4),但這些液晶組合物并未實現(xiàn)充分低的粘性。
[化學(xué)式1]
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:WO96/032365號
專利文獻2:日本特開平09-157202號
專利文獻3:WO98/023564號
專利文獻4:日本特開2003-183656號
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
本發(fā)明所要解決的課題在于提供一種液晶組合物,前述液晶組合物不會因調(diào)整至期望的折射率各向異性(Δn)、抑制向列相-各向同性液體相轉(zhuǎn)變溫度(Tni)的降低和向列相的下限溫度的上升而使向列相的溫度范圍惡化,前述液晶組合物的粘度(η)充分低,并且介電常數(shù)各向異性(Δε)為正。
用于解決課題的手段
本發(fā)明人對各種氟苯衍生物進行了研究,發(fā)現(xiàn)通過組合特定的化合物可以解決前述課題,從而完成了本發(fā)明。
本發(fā)明提供一種液晶組合物,其特征在于,其為具有正的介電常數(shù)各向異性的液晶組合物,前述液晶組合物含有選自通式(LC0)所表示的化合物的1種或2種以上化合物,進一步含有選自通式(LC1)至通式(LC5)所表示的化合物組的1種或2種以上化合物,進一步,還提供使用了該液晶組合物的液晶顯示元件。
[化學(xué)式2]
(式中,R01表示碳原子數(shù)2~5的烯基,R11~R41各自獨立地表示碳原子數(shù)1~15的烷基,該烷基中的1個或2個以上的-CH2-可以以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-或-OCF2-取代,該烷基中的1個或2個以上的氫原子可任意地被鹵素取代;R51和R52各自獨立地表示碳原子數(shù)1~15的烷基,該烷基中的1個或2個以上的-CH2-可以以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-或-C≡C-取代,當(dāng)后述的A51或A53為環(huán)己烷環(huán)的情況下也可以為-OCF3或-CF3-;A01~A42各自獨立地表示下述任一結(jié)構(gòu),
[化學(xué)式3]
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于DIC株式會社,未經(jīng)DIC株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380037940.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





