[發明專利]集成半導體器件

有效

• 申請號: 201380037843.2
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN104471711B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 斯特凡·科克;托馬斯·默克勒
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L49/02;H01L23/522;H01L23/66
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,吳孟秋

1.一種集成半導體器件，包括：

-襯底層(126)，

-n-端口(121)，n為等于或大于2的整數，具有第一端口端子、第二端口端子以及接地端子，所述n-端口形成在所述襯底層(126)的第一側(127)上的所述襯底層(126)內，

-絕緣層(133)，形成在所述襯底層(126)的所述第一側(127)上的表面上，

-接地平面層(128)，形成在所述襯底層(126)與所述絕緣層(133)之間，所述接地平面層(128)與所述n-端口的一個端子接觸，

-信號平面層(131)，形成在所述絕緣層(131)的背離所述襯底層(126)的表面(137)上，

-通孔(136)，形成為穿過所述絕緣層(133)并且使所述信號平面層(131)與所述n-端口的另一端子而非所述接地平面層接觸，

-接觸端子，形成在所述絕緣層(133)內，并電接觸所述n-端口的既不與所述接地平面層(128)接觸也不與所述信號平面層(131)接觸的端子，以及

-電阻器(125)，形成在所述接地平面層(128)內。

2.根據權利要求1所述的集成半導體器件，

其中，所述電阻器(125)在所述襯底層(126)的所述第一側(127)上的所述表面上形成為板。

3.根據權利要求2所述的集成半導體器件，

其中，所述電阻器(125)具有矩形形狀，所述矩形形狀具有沿信號流的方向的長度以及垂直于所述信號流方向的寬度。

4.根據權利要求3所述的集成半導體器件，

其中，所述電阻器(125)的長度大于其寬度。

5.根據權利要求3所述的集成半導體器件，

其中，所述電阻器(125)的長度小于其寬度。

6.根據任一前述權利要求所述的集成半導體器件，

其中，所述電阻器(125)由接地平面材料環繞。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的集成半導體器件，

其中，所述信號平面層(131)的寬度小于所述電阻器(125)的寬度。

8.根據權利要求1-5中任一項所述的集成半導體器件，

其中，所述集成半導體器件(120)被配置為用作高頻放大器，其中，所述高頻放大器的頻率范圍為高于100GHz。

9.根據權利要求1-5中任一項所述的集成半導體器件，

其中，所述n-端口包括具有源極(124)、柵極(123)和漏極(122)的晶體管(121)，所述晶體管形成在所述襯底層(126)的第一側(127)上的所述襯底層(126)內，

其中，所述接地平面層(128)與所述晶體管的所述源極(124)、所述柵極(123)或所述漏極(122)接觸，

其中，所述通孔(136)使所述信號平面層(131)與所述晶體管的所述漏極、所述源極或所述柵極電接觸，并且

其中，所述接觸端子電接觸所述晶體管的既不與所述接地平面層(128)接觸也不與所述信號平面層(131)接觸的元件。

10.根據權利要求9所述的集成半導體器件，

其中，所述接地平面層(128)與所述晶體管的所述源極(124)接觸，并且所述通孔(136)使所述信號平面層(131)與所述晶體管的所述漏極(122)接觸，

并進一步包括柵極端子，所述柵極端子形成在所述絕緣層(133)內并電接觸所述晶體管的所述柵極(123)。

11.根據權利要求9所述的集成半導體器件，

其中，所述接地平面層(128)與所述晶體管的所述漏極(122)接觸，并且所述通孔(136)使所述信號平面層(131)與所述晶體管的所述源極(124)電接觸，

并進一步包括柵極端子，所述柵極端子形成在所述絕緣層(133)內并電接觸所述晶體管的所述柵極(123)。

12.根據權利要求9所述的集成半導體器件，

其中，所述接地平面層(128)與所述晶體管的所述柵極(123)接觸，并且所述通孔(136)使所述信號平面層(131)與所述晶體管的所述漏極(122)電接觸，

并進一步包括源極端子，所述源極端子形成在所述絕緣層(133)內并電接觸所述晶體管的所述源極(124)。