[發明專利]粗糙化的基板支撐件

在審

• 申請號: 201380037798.0
• 申請日: 2015-08-02
• 公開（公告）號: CN104508180A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: D·李;W·N·斯特林;樸范洙;崔壽永
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;B24C1/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

發明的背景

技術領域

本發明的實施例一般是有關于一種用于在一基板處理腔體中使用的基板支撐件。

相關技術的描述

等離子體增強化學氣相沉積(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition，PECVD)一般是用于沉積薄膜于一基板上，例如是平板或是半導體晶圓。PECVD通常是通過導入一前驅氣體(precursor?gas)至包含一基板的一真空腔體內來完成。前驅氣體一般是導引通過一分布板，此分布板靠近腔體的頂部。在腔體內的前驅氣體通過從一或多個射頻(RF)源提供RF電力至腔體來提供能量(例如是激發(excited))而成為等離子體，RF源耦接于腔體。激發氣體反應而形成一材料層于基板的一表面上，所述基板擺置于一溫度控制基板支撐件上。

在處理期間，可能對裝置的制造造成不利的小部分的膜厚變化已觀察出來，所述小部分的膜厚變化時常以成為較薄的膜厚的點(spots)的方式顯現。一般認為，沿著一平滑基板支撐表面，在玻璃的厚度及平坦度的變化是在跨基板的特定位置產生局部電容變化，因而產生了局部的等離子體不均勻性，所述離子體不均勻性導致沉積變化，例如是薄點。

因此，對基板支撐件做改善是有需要的。

發明內容

本發明一般是有關于一種用于在一基板處理腔體中使用的基板支撐件。一粗糙化的基板支撐件是減少在腔體內的電弧且亦提供均勻沉積于基板上。粗糙化可以兩個步驟執行。于一第一步驟中，基板支撐件進行噴珠以初步地粗糙化表面。接著，粗糙化的表面以較細的磨粒進行噴珠，以產生一具有介于約707微英寸及約837微英寸間的表面粗糙度的基板支撐件。在表面粗糙化之后，基板支撐件進行陽極處理。

于一個實施例中，一種形成一粗糙化的基板支撐件的方法，包括于一第一工藝中對一基板支撐件的一表面進行噴珠，其中此些珠體具有一第一磨粒(grit)尺寸；以及于一第二工藝中對基板支撐件的表面進行噴珠，其中此些珠體具有一第二磨粒尺寸，所述第二磨粒尺寸小于第一磨粒尺寸。

于另一實施例中，一種形成一粗糙化的基板支撐件的方法，包括于一第一工藝中對一基板支撐件的一表面進行噴珠。第一工藝包括于一第一方向中使噴嘴掃描過基板支撐件的表面；沿著基板支撐件的表面轉換噴嘴于一第二方向中，第二方向垂直于第一方向；以及于一第三方向中使噴嘴掃描過基板支撐件的表面，第三方向相反于第一方向。此方法更包括于一第二工藝中對基板支撐件的表面進行噴珠。第二工藝包括于第一方向中使噴嘴第一次掃描過基板支撐件的表面；沿著基板支撐件的表面轉換噴嘴于第二方向中；于第三方向中使噴嘴第二次掃描過基板支撐件的表面；逆時針轉動基板支撐件約90度；以及重復第一次掃描、轉換、第二次掃描及轉動。

于另一實施例中，一種基板支撐件包括一基板支撐件主體，具有一表面粗糙度，此表面粗糙度介于約707微英寸及約834微英寸之間；以及一陽極處理涂布層，位于基板支撐件上。

附圖說明

為了可詳細地了解本發明上述的特性，簡要摘錄于上的本發明的更特有的說明可參照實施例。一些實施例是繪示于所附的附圖中。然而，值得注意的是，由于本發明可承認其他等效實施例，所附的附圖僅為本發明的代表性實施例，因此并非用以限制本發明的范圍。

圖1繪示根據本發明的一個實施例的PECVD設備的剖面圖。

圖2繪示根據一個實施例的基板支撐件的局部剖面圖。

圖3A繪示根據一個實施例的基板支撐件在粗糙化的第一步驟后的示意性剖面圖。

圖3B繪示根據一個實施例的圖3A的基板支撐件在粗糙化的第二步驟后的示意性剖面圖。

圖4繪示根據一個實施例的粗糙化機相對于基板支撐件的示意圖。

圖5A繪示根據一個實施例的在基板支撐件于第一步驟中進行粗糙化的示意圖。

圖5B-5E繪示根據一個實施例的圖5A的基板支撐件于第二步驟中進行粗糙化的示意圖。

為了便于了解，在可行之處，相同的參考編號是使用來表示通用于附圖的相同的元件。可預期的是，揭露于一個實施例中的元件可在無需特別說明的情況下，有助益地使用于其他實施例中。

具體實施方式