[發明專利]濺射靶、氧化物半導體薄膜及它們的制造方法

有效

• 申請號: 201380037627.8
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN104471103B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 江端一晃;西村麻美;但馬望
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;C23C14/08;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 葛凡

1.一種濺射靶，由含有銦元素In、錫元素Sn、鋅元素Zn及鋁元素Al的氧化物形成，

其包含以InAlO₃(ZnO)_m表示的同系結構化合物，且不含有以In₂O₃表示的方鐵錳礦結構化合物，所述m為0.1～10，所述銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的原子比滿足下述式(1)～(4)：

0.10≤In/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (1)

0.01≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (2)

0.10≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.65 (3)

0.01≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (4)

式中，In、Sn、Zn及Al分別表示濺射靶中的銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的物質量。

2.根據權利要求1所述的濺射靶，其中，所述m為0.5～7。

3.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述m為1～3。

4.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述式(2)為0.05≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.25。

5.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述式(2)為0.07≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.18。

6.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述式(3)為0.25≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.60。

7.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述式(3)為0.40≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.60。

8.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述式(4)為0.02≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.25。

9.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述式(4)為0.02≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.15。

10.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，

所述以InAlO₃(ZnO)_m表示的同系結構化合物是選自以InAlZn₂O₅表示的同系結構化合物及以InAlZnO₄表示的同系結構化合物中的1種以上，所述m為0.1～10。

11.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其含有以Zn₂SnO₄表示的尖晶石結構化合物。

12.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其相對密度為98％以上。

13.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其相對密度為98.5％以上。

14.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其相對密度為99％以上。

15.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其體積電阻率為5mΩcm以下。

16.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其體積電阻率為3mΩcm以下。

17.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，所述氧化物中的晶體的最大粒徑為8μm以下。

18.一種權利要求1～17中任一項所述的濺射靶的制造方法，包括將含有銦元素、錫元素、鋅元素及鋁元素的氧化物的成形體以升溫速度0.1～2℃/分鐘從800℃升溫到燒結溫度、并在所述燒結溫度保持10～50小時而燒結的工序，所述燒結溫度為1200℃～1650℃的范圍。