[發(fā)明專利]工藝補償?shù)腍BT功率放大器偏置電路和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380037566.5 | 申請日： | 2013-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN104508975B | 公開（公告）日： | 2018-02-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | D.S.里普利;P.J.萊托拉;P.J.贊帕迪;H.邵;T.M.科;M.T.奧扎拉斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 天工方案公司 |
| 主分類號： | H03F1/30 | 分類號： | H03F1/30;H03F3/19 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人： | 于小寧 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 工藝 補償 hbt 功率放大器 偏置 電路 方法 | ||
1.一種用于偏置功率放大器的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：
第一裸芯，包含功率放大器電路以及配置為感測所述功率放大器的β參數(shù)的電阻器，所述β參數(shù)取決于第一裸芯的特性；以及
第二裸芯，包含偏置信號產(chǎn)生電路，
所述偏置信號產(chǎn)生電路被配置為至少部分基于第一裸芯的所述電阻器感測的β參數(shù)的測量結(jié)果產(chǎn)生偏置信號。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一裸芯包含異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管裸芯，并且所述第二裸芯包含硅裸芯。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述電阻器由異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管裸芯的一部分形成。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述電阻器由異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管裸芯的基極材料形成。
5.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述電阻器具有與第一裸芯的溫度近似成比例的電阻值。
6.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述偏置信號產(chǎn)生電路包含被配置為將參考電流提供到所述電阻器的V-I電路，所述參考電流具有取決于所述電阻器的電阻的值。
7.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述V-I電路基于PTAT參考電壓提供所述參考電流，所述PTAT參考電壓獨立于所述第一裸芯的一個或多個狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述V-I電路還被配置為基于所述電阻器所吸收的參考電流產(chǎn)生所述偏置信號。
9.一種功率放大器模塊，包括：
封裝基板，被配置為容納多個組件；
第一裸芯，被安裝在所述封裝基板上，所述第一裸芯包含功率放大器電路以及配置為感測所述功率放大器的β參數(shù)的電阻器，所述β參數(shù)取決于第一裸芯的特性；以及
第二裸芯，被安裝在所述封裝基板上并且與所述第一裸芯互連，所述第二裸芯包含偏置信號產(chǎn)生電路，所述偏置信號產(chǎn)生電路被配置為至少部分基于第一裸芯的所述電阻器感測的β參數(shù)的測量結(jié)果產(chǎn)生偏置信號。
10.如權(quán)利要求9所述的功率放大器模塊，其中，所述第一裸芯包含安裝在所述封裝基板上的III-V半導(dǎo)體裸芯，所述第一裸芯包含在子集電極層之上具有所選擇的層的異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，所述電阻器為半導(dǎo)體電阻器且具有相對于所選擇的層橫向布置并且與所選擇的層電隔離的電阻層，所述電阻層和所選擇的層由基本上相同的材料形成。
11.如權(quán)利要求10所述的功率放大器模塊，其中，所選擇的層包含基極層。
12.如權(quán)利要求10所述的功率放大器模塊，其中，所選擇的層包含子集電極層。
13.如權(quán)利要求10所述的功率放大器模塊，其中，所述半導(dǎo)體電阻器還包含布置在所述電阻層上以產(chǎn)生所述半導(dǎo)體電阻器的電阻值的電接觸墊。
14.如權(quán)利要求10所述的功率放大器模塊，其中，所述半導(dǎo)體電阻器連接到位于所述第一裸芯外部的電路。
15.如權(quán)利要求10所述的功率放大器模塊，其中，所述半導(dǎo)體電阻器被配置為對與所述異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的所選擇的層相關(guān)聯(lián)的一個或多個狀態(tài)的改變敏感。
16.一種無線裝置，包括：
收發(fā)器，被配置為處理射頻信號；
天線，與所述收發(fā)器通信，所述天線被配置為促成放大的射頻信號的發(fā)送；
功率放大器，被布置在第一裸芯上并且連接到所述收發(fā)器，并且所述功率放大器被配置為產(chǎn)生所述放大的射頻信號，所述第一裸芯包含配置為感測所述功率放大器的β參數(shù)的電阻器，所述β參數(shù)取決于第一裸芯的特性；以及
偏置電路，被布置在第二裸芯上并且互連到所述功率放大器，所述偏置電路被配置為至少部分基于第一裸芯的所述電阻器感測的β參數(shù)的測量結(jié)果產(chǎn)生用于所述功率放大器的偏置信號。
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