[發(fā)明專利]基板處理裝置、程序以及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380037331.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104471699B | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山本真弘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 斯克林集團(tuán)公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
| 地址: | 日本國(guó)京*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 程序 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,用于處理基板,其特征在于,具有:
密封容器,其形成有用于搬入或者搬出基板的開口,
開閉部,其開閉所述開口,
處理部,其對(duì)所述基板進(jìn)行規(guī)定的處理,
基板搬運(yùn)部,其從所述密封容器搬出基板或者將基板搬入所述密封容器,
進(jìn)度表創(chuàng)建部,其根據(jù)所述處理部處理基板的處理時(shí)間,創(chuàng)建規(guī)定了所述開閉部開閉所述開口的時(shí)間,以及所述基板搬運(yùn)部從所述密封容器搬出基板或者將基板搬入所述密封容器的時(shí)間的進(jìn)度表,
執(zhí)行指示部,其基于所述進(jìn)度表,指示所述開閉部以及所述基板搬運(yùn)部執(zhí)行動(dòng)作。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述進(jìn)度表創(chuàng)建部以如下的方式創(chuàng)建所述進(jìn)度表:
在所述開口由開閉部開放的狀態(tài)下,若直到下一次所述基板搬運(yùn)部開始從所述密封容器搬出基板或者開始將基板搬入所述密封容器為止的時(shí)間長(zhǎng)度,比所述開閉部的閉動(dòng)作所需要的時(shí)間長(zhǎng)度以及所述開閉部的開動(dòng)作所需要的時(shí)間長(zhǎng)度的合計(jì)時(shí)間長(zhǎng)度更長(zhǎng),則使所述開閉部關(guān)閉所述開口。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述進(jìn)度表創(chuàng)建部以如下的方式創(chuàng)建所述進(jìn)度表:
在所述開口由所述開閉部關(guān)閉的狀態(tài)下,所述開閉部在比下一次所述基板搬運(yùn)部開始從所述密封容器搬出基板或者將基板搬入所述密封容器的時(shí)間提早規(guī)定時(shí)間長(zhǎng)度的時(shí)刻,開始開放所述開口,所述規(guī)定時(shí)間長(zhǎng)度是指,在所述開閉部的開動(dòng)作所需要的時(shí)間長(zhǎng)度以上的時(shí)間長(zhǎng)度。
4.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述進(jìn)度表創(chuàng)建部以如下的方式創(chuàng)建所述進(jìn)度表:
在所述開口由所述開閉部關(guān)閉的狀態(tài)下,所述開閉部在比下一次所述基板搬運(yùn)部開始從所述密封容器搬出基板或者將基板搬入所述密封容器的時(shí)間提早規(guī)定時(shí)間長(zhǎng)度的時(shí)刻,開始開放所述開口,所述規(guī)定時(shí)間長(zhǎng)度是指,在所述開閉部的開動(dòng)作所需要的時(shí)間長(zhǎng)度以上的時(shí)間長(zhǎng)度。
5.如權(quán)利要求1~4中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于,還具有:
非活性氣體供給部,其向所述密封容器內(nèi)供給非活性氣體,
濃度獲取部,其獲取所述密封容器內(nèi)的非活性氣體濃度;
所述進(jìn)度表創(chuàng)建部以如下的方式創(chuàng)建所述進(jìn)度表:
在由所述濃度獲取部獲取的所述非活性氣體濃度在規(guī)定的基準(zhǔn)值以下的情況下,利用所述開閉部關(guān)閉所述開口。
6.如權(quán)利要求1~4中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述開閉部具有:
第一開閉部,其關(guān)閉所述開口,
第二開閉部,其關(guān)閉所述開口,并且在關(guān)閉了所述開口時(shí),與利用所述第一開閉部關(guān)閉了所述開口時(shí)相比,所述密封容器的密封度變低;
所述進(jìn)度表創(chuàng)建部創(chuàng)建規(guī)定了所述第二開閉部的開閉動(dòng)作的時(shí)刻的進(jìn)度表。
7.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述開閉部具有:
第一開閉部,其關(guān)閉所述開口,
第二開閉部,其關(guān)閉所述開口,并且在關(guān)閉了所述開口時(shí),與利用所述第一開閉部關(guān)閉了所述開口時(shí)相比,所述密封容器的密封度變低;
所述進(jìn)度表創(chuàng)建部創(chuàng)建規(guī)定了所述第二開閉部的開閉動(dòng)作的時(shí)刻的進(jìn)度表。
8.一種基板處理方法,用于在基板處理裝置中處理基板,
所述基板處理裝置具有:
開閉部,其通過開閉在密封容器上形成的開口,能夠搬入或者搬出基板,基板搬運(yùn)部,其經(jīng)由所述開口搬入或者搬出基板,
處理部,其對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理;
所述基板處理方法的特征在于,包括:
(a)工序,在所述處理部,創(chuàng)建對(duì)基板進(jìn)行處理的處理進(jìn)度表,
(b)工序,基于所述處理進(jìn)度表,決定所述開閉部開閉所述密封容器的所述開口的時(shí)刻。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法,其特征在于,
所述(b)工序以如下的方式?jīng)Q定所述時(shí)刻:
在所述開口由所述開閉部開放的狀態(tài)下,若直到下一次所述基板搬運(yùn)部開始從所述密封容器搬出基板或者開始將基板搬入所述密封容器為止的時(shí)間長(zhǎng)度,比所述開閉部的閉動(dòng)作所需要的時(shí)間長(zhǎng)度以及所述開閉部的開動(dòng)作所需要的時(shí)間長(zhǎng)度的合計(jì)時(shí)間長(zhǎng)度更長(zhǎng),則使所述開閉部關(guān)閉所述開口。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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