[發明專利]反熔絲

有效

• 申請號: 201380036999.9
• 申請日: 2013-07-04
• 公開（公告）號: CN104508818B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: F·霍夫曼
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L23/525;H01L27/12;G11C17/16;H01L27/112
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種半導體結構(1000-4000)，該半導體結構(1000-4000)包括：

第一半導體層(1140，1140B)；以及

第一編程晶體管(5200，1200B)和第一選擇晶體管(1300)，所述第一編程晶體管(5200，1200B)和第一選擇晶體管(1300)實現第一反熔絲單元(1000A，1000B)，其中所述第一半導體層作為所述第一編程晶體管的主體(1301)并作為所述第一選擇晶體管的的主體(1301)；

其特征在于

所述第一編程晶體管的柵極(5210，1210B)和所述第一選擇晶體管的柵極(1160，1161)在所述第一半導體層的不同面上，并且

所述第一選擇晶體管的柵極(1160，1161)的覆蓋面積大于所述第一編程晶體管的柵極(5210，1210B)的覆蓋面積以與所述第一編程晶體管的柵極(5210，1210B)交疊。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，

所述半導體結構是多柵極半導體結構，并且

所述第一編程晶體管的柵極和所述第一選擇晶體管的柵極分別是所述多柵極半導體結構的一個背部柵極和一個頂部柵極，或分別是所述多柵極半導體結構的一個頂部柵極和一個背部柵極。

3.根據任一前述權利要求所述的半導體結構，所述半導體結構進一步包括：

與所述第一選擇晶體管結合實現第二反熔絲單元的至少一個第二編程晶體管(5202)，其中

所述第一編程晶體管(5201)與所述至少一個第二編程晶體管并聯連接。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，所述半導體結構進一步包括：

與所述第一選擇晶體管結合實現第三反熔絲單元的至少一個第三編程晶體管(5204)，其中

所述第一編程晶體管(5201)與所述至少一個第三編程晶體管串聯連接。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，

所述第一編程晶體管、所述至少一個第二編程晶體管和所述至少一個第三編程晶體管中的任一編程晶體管的柵極和柵極氧化物被成形為使得所述柵極的電場集中在所述柵極氧化物的點或線上。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中，

所述第一半導體層包括刻蝕區域，

所述柵極氧化物置于所述第一半導體層上并至少在所述刻蝕區域的壁的一部分(R1)上，并且

所述柵極置于所述柵極氧化物上，以便實現與所述刻蝕區域對應的角度。