[發(fā)明專(zhuān)利]氣體混合設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380036866.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104471672B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 卡爾蒂克·薩哈;卡利安吉特·戈什;斯科特·麥克萊蘭 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司: | 11006 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐金國(guó);趙靜 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 混合 設(shè)備 | ||
在此提供氣體混合設(shè)備的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中,氣體混合設(shè)備可包括容器、多個(gè)第一入口和出口,所述容器界定內(nèi)部容積,所述容器具有封閉的頂部和底部以及相對(duì)于穿過(guò)頂部和底部的容器的中心軸的具有圓形截面的側(cè)壁;所述多個(gè)第一入口在靠近容器的頂部處耦接至容器,以提供多種處理氣體至容器的內(nèi)部容積,所述多個(gè)第一入口被設(shè)置成使得通過(guò)多個(gè)第一入口的多種處理氣體的流動(dòng)路徑與容器的側(cè)壁實(shí)質(zhì)上正切;所述出口在靠近容器的底部處耦接至容器,以允許多種處理氣體從容器的內(nèi)部容積移除。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及半導(dǎo)體處理裝備。
背景技術(shù)
本發(fā)明者已經(jīng)觀(guān)察到,用于將多種處理氣體傳送至處理腔室的許多傳統(tǒng)的氣體傳送系統(tǒng),可能無(wú)法提供均勻的處理氣體混合物至處理腔室。這種在處理氣體混合物中缺乏均勻性的情況,導(dǎo)致處理腔室的區(qū)域接收較高濃度的處理氣體的個(gè)別組分,因此造成處理的非均勻性。
因此,本發(fā)明者提供一種改良的氣體混合設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
在此提供氣體混合設(shè)備的實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中,氣體混合設(shè)備可以包括容器、多個(gè)第一入口和出口,所述容器界定內(nèi)部容積,所述容器具有封閉的頂部和底部,以及相對(duì)于穿過(guò)頂部和底部的所述容器的中心軸的具有圓形截面的側(cè)壁;所述多個(gè)第一入口在靠近所述容器的頂部處耦接至所述容器,以提供多種處理氣體至所述容器的內(nèi)部容積,所述多個(gè)第一入口設(shè)置成使得通過(guò)多個(gè)第一入口的多種處理氣體的流動(dòng)路徑實(shí)質(zhì)上與容器的側(cè)壁正切(tangential);所述出口在靠近所述容器的底部處耦接至所述容器,以允許多種處理氣體從容器的內(nèi)部容積移除。
在一些實(shí)施方式中,一種用于處理基板的設(shè)備可以包括處理腔室、基板支撐件和氣體混合設(shè)備,所述處理腔室具有處理容積;所述基板支撐件位于處理容積內(nèi);所述氣體混合設(shè)備耦接至所述處理腔室,以提供處理氣體混合物至處理腔室的處理容積。氣體混合設(shè)備可以包括容器、多個(gè)第一入口和出口,所述容器界定內(nèi)部容積,所述容器具有封閉的頂部和底部,以及相對(duì)于穿過(guò)頂部和底部的容器的中心軸的具有圓形截面的側(cè)壁;所述多個(gè)第一入口在靠近容器的頂部處耦接至所述容器,以提供多種處理氣體至容器的內(nèi)部容積,多個(gè)第一入口設(shè)置成使得通過(guò)多個(gè)第一入口的多種處理氣體的流動(dòng)路徑實(shí)質(zhì)上與容器的側(cè)壁正切;所述出口在靠近容器的底部處耦接至容器,以允許多種處理氣體從容器的內(nèi)部容積移除。
下面描述本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施方式。
附圖說(shuō)明
以上簡(jiǎn)要概述并于以下更加詳細(xì)地討論的本發(fā)明的各實(shí)施方式,可通過(guò)參照在附圖中所描繪的本發(fā)明的示例性實(shí)施方式來(lái)理解。然而要注意這些附圖僅圖示本發(fā)明的典型實(shí)施方式,并因此不被視為限制本發(fā)明的范圍,本發(fā)明可以允許其他等效的實(shí)施方式。
圖1為根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備的示意性側(cè)視圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備的示意性俯視圖。
圖3為根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備的示意性側(cè)視圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備的示意性俯視圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備的示意性截面?zhèn)纫晥D。
圖6為根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備的示意性截面俯視圖。
圖7為根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備的示意性截面俯視圖。
圖8描繪適合與根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備一起使用的處理腔室的示意性側(cè)視圖。
圖9描繪適合與根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備一起使用的處理腔室的一部分的頂部透視圖。
圖10描繪適合與根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式的氣體混合設(shè)備一起使用的處理腔室的一部分的頂部透視圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
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- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
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