[發明專利]XIII族硒化物納米粒子

有效

• 申請號: 201380036492.3
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN104428870B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 納瑟莉·格雷斯蒂;翁布雷塔·馬薩拉;克里斯托弗·紐曼;斯蒂芬·懷特萊格;奈杰爾·皮克特
• 申請（專利權）人: 納米技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0352;B82Y30/00;C01B19/00;C09D11/52
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 柳春琦

1.一種制備二元第13族硒化物納米粒子的方法，所述二元第13族硒化物納米粒子具有通式M_xSe_y，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，所述方法包括：

通過在第一溫度將第13族離子前體分散在非配位溶劑、配位溶劑或非配位溶劑和配位溶劑的組合中，而形成分散體；

將硒醇化合物添加到所述分散體中而形成混合物；以及

將所述混合物的溫度升高到第二溫度，并且將所述混合物在第二溫度保持一定時間，以形成所述二元第13族硒化物納米粒子；

其中所述二元第13族硒化物納米粒子基本上不含硫。

2.權利要求1所述的方法，其中所述第13族離子前體是第13族元素的氯化物、乙酸鹽或乙酰丙酮化物。

3.權利要求1所述的方法，其中所述第13族離子前體選自由以下各項組成的組：InCl₃、In(OAc)₃、In(acac)₃、GaCl₃、Ga(OAc)₃和Ga(acac)₃。

4.權利要求1所述的方法，其中所述硒醇是烷基、烯基、炔基或芳基硒醇。

5.權利要求1所述的方法，其中所述硒醇含有4至14個碳原子。

6.權利要求1所述的方法，其中所述硒醇化合物是辛烷硒醇。

7.權利要求1所述的方法，所述方法還包括將第二硒化合物添加至所述第13族離子前體。

8.權利要求7所述的方法，其中所述第二硒源是硒化三辛基膦。

9.權利要求1所述的方法，其中所述納米粒子的直徑為等于或小于200nm。

10.權利要求1所述的方法，其中所述納米粒子的直徑為2至100nm。

11.權利要求1所述的方法，其中所述納米粒子的直徑為等于或小于10nm。

12.一種組合物，所述組合物包含：納米粒子，所述納米粒子包含核和有機覆蓋配體，其中所述核包含二元第13族硒化物半導體，所述二元第13族硒化物納米粒子具有通式M_xSe_y，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，并且其中所述有機覆蓋配體通過碳-硒共價鍵結合到所述納米粒子。

13.權利要求12所述的組合物，其中所述有機覆蓋配體是烷基、烯基、炔基或芳基基團。

14.權利要求12所述的組合物，其中所述有機覆蓋配體含有8至12個碳原子。

15.一種形成半導體膜的方法，所述方法包括：

使第13族離子前體與硒醇化合物在混合物中反應而形成二元第13族硒化物納米粒子，所述二元第13族硒化物納米粒子具有通式M_xSe_y，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，所述硒醇化合物是烷基、烯基、炔基或芳基硒醇中的任一種，

將所形成的二元第13族硒化物納米粒子從所述混合物中分離，

將CuSe納米粒子和分離的二元第13族硒化物納米粒子共沉積在基材上，以及

加熱所述基材以使所述CuSe納米粒子和所述二元第13族硒化物納米粒子熔化；其中

加熱所述基材以使所述CuSe納米粒子和所述二元第13族硒化物納米粒子熔化也移除了烷基、烯基、炔基或芳基部分。

16.權利要求15所述的方法，其中所述半導體膜基本上不含硫。

17.權利要求1所述的方法，其中所述第一溫度介于50℃-150℃之間。

18.權利要求1所述的方法，其中所述第二溫度介于100℃-220℃之間。

19.權利要求1所述的方法，其中所述一定時間介于30分鐘-2小時之間。