[發明專利]銅覆膜形成劑及銅覆膜的形成方法

有效

• 申請號: 201380036469.4
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN104471108B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 飯田宗作;村井孝行;平尾浩彥
• 申請（專利權）人: 四國化成工業株式會社
• 主分類號: C23C18/08
• 分類號: C23C18/08;H01B13/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 盛曼;金龍河

1.一種銅覆膜的形成方法，其包括：

將含有選自由下述式(I)所示的咪唑化合物組成的組中的至少一種化合物和甲酸銅形成的銅絡合物、以及有機溶劑或水的銅覆膜形成劑涂布到基材上而形成涂布膜的涂布工序；以及

將所述涂布膜在常壓下進行加熱煅燒的加熱工序，

所述有機溶劑為選自由甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、叔丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、1-庚醇、2-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基己醇、環戊醇、環己醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、乙二醇、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙酮、甲乙酮、戊烷、己烷、甲苯、二甲苯、四氫呋喃、二氧雜環己烷、甲酸甲酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸丁酯組成的組中的至少一種，

式(I)中，R₁表示碳原子數1～5的直鏈、支鏈或環狀烴基或者含有碳原子數1～5的烴和沒有與氫原子鍵合的碳原子以外的元素的直鏈、支鏈或環狀取代基，或者與相鄰的R₂或R₄鍵合而形成雜環，R₂～R₄各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～4的直鏈、支鏈或環狀烴基或者含有碳原子數1～4的烴和沒有與氫原子鍵合的碳原子以外的元素的直鏈、支鏈或環狀取代基，或者與相鄰的R₁、R₃或R₄鍵合而形成環或雜環，其中，R₁～R₄中所含的碳原子的合計為5以下。

2.根據權利要求1所述的銅覆膜的形成方法，其中，在所述涂布工序之前對基材表面實施親水化處理。

3.根據權利要求1所述的銅覆膜的形成方法，其中，所述加熱工序在130℃以下的溫度下進行。

4.根據權利要求1所述的銅覆膜的形成方法，其中，在不活潑氣體氣氛下進行所述加熱工序。

5.根據權利要求4所述的銅覆膜的形成方法，其中，所述不活潑氣體氣氛為氮氣氣氛。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的銅覆膜的形成方法，其中，所述基材為選自由玻璃基材、硅基材、金屬基材、陶瓷基材及樹脂基材組成的組中的至少1種。

7.根據權利要求1～5中任一項所述的銅覆膜的形成方法，其中，所述涂布工序通過選自由旋涂法、浸漬法、噴涂法、噴霧涂布法、流涂法、幕涂法、輥涂法、刀涂法、刮涂法、氣刀涂布法、棒涂法、絲網印刷法、凹版印刷法、膠版印刷法、柔版印刷法及刷涂法組成的組中的至少1種方法進行。

8.根據權利要求1～5中任一項所述的銅覆膜的形成方法，其中，所述式(I)所示的咪唑化合物為選自由1-甲基咪唑、1-乙基咪唑、1，2-二甲基咪唑、1-乙基-2-甲基咪唑、2-乙基-1-甲基咪唑、1-丙基咪唑、1-異丙基咪唑、1-丁基咪唑、1-戊基咪唑、1-乙烯基咪唑、1-烯丙基咪唑組成的組中的至少1種。

9.根據權利要求1～5中任一項所述的銅覆膜的形成方法，其中，所述銅覆膜形成劑含有金屬粉末。

10.一種布線基板的制造方法，使用通過權利要求1～9中任一項所述的銅覆膜的形成方法形成的銅覆膜作為種子層，通過半加成工藝或全加成工藝進行電路形成。