[發明專利]分離膜、其制備方法及凈化單元

有效

• 申請號: 201380036413.9
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104428053B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 吳炳洙;桂正一;金玟廷
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: B01D69/12
• 分類號: B01D69/12;B01D71/02;B01D71/82;B01D69/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

1.一種去除污染物用分離膜，其包含：

疏水性膜，所述疏水性膜被構造為首先去除非揮發性材料；和

以部分地或全部地覆蓋所述疏水性膜的方式形成的氧化石墨烯層，所述氧化石墨烯層被構造為其次去除乙醇；

其中面向所述氧化石墨烯層的所述疏水性膜的一個表面已經被親水性處理。

2.權利要求1的分離膜，其還包含在所述疏水性膜和所述氧化石墨烯層之間形成的經親水性處理的層。

3.權利要求1的分離膜，其中所述疏水性膜包含選自如下材料中的疏水性聚合物：聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚砜(PSF)、聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚乙烯(PE)、聚酰亞胺及它們的組合。

4.權利要求2的分離膜，其中所述經親水性處理的層包含選自如下材料中的親水性聚合物：聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PEG)、乙酸纖維素(CA)及它們的組合。

5.權利要求1的分離膜，其中所述氧化石墨烯層包含氧化石墨烯粒子。

6.權利要求1的分離膜，其中所述氧化石墨烯層的厚度為100nm～10μm。

7.權利要求1的分離膜，其中所述氧化石墨烯層的厚度為1μm～2μm。

8.一種用于制備去除污染物用分離膜的方法，所述方法包括：

親水性處理步驟：制備具有一個經親水性處理的表面的疏水性膜，所述疏水性膜被構造為首先去除非揮發性材料；以及

氧化石墨烯層形成步驟：通過將含有氧化石墨烯粒子的氧化石墨烯涂布液涂布在所述疏水性膜的經親水性處理的表面上而形成氧化石墨烯層，所述氧化石墨烯層被構造為其次去除乙醇。

9.權利要求8的方法，其中所述親水性處理步驟包括：通過將含有親水性聚合物的親水性涂布液涂布在疏水性膜上而形成經親水性處理的層的過程。

10.權利要求9的方法，其中通過選自氣刷、原子化器、電噴霧及它們的組合中的微噴射方法進行如下過程中的至少一個過程：

通過將氧化石墨烯涂布液涂布在經親水性處理的疏水性膜上而形成氧化石墨烯層的過程，以及

通過將親水性涂布液涂布在所述疏水性膜上而形成經親水性處理的層的過程。

11.權利要求8的方法，其中所述親水性處理步驟和所述氧化石墨烯層形成步驟中的至少一個步驟在疏水性膜的溫度為20℃～50℃的狀態下進行。

12.權利要求8的方法，其中所述氧化石墨烯涂布液包含溶劑和氧化石墨烯粒子，并且其中所述溶劑包含選自如下材料中的一種：水、乙二醇、二甲基甲酰胺(DMF)、甲基吡咯烷酮(NMP)、四氫呋喃(THF)及它們的組合。

13.一種去除污染物用單元，其具有去除污染物用分離膜，所述去除污染物用分離膜包含疏水性膜和氧化石墨烯層，

其中所述疏水性膜被構造為首先去除非揮發性材料，

其中所述氧化石墨烯層以部分地或全部地覆蓋所述疏水性膜的方式形成，并被構造為其次去除乙醇，

其中面向所述氧化石墨烯層的所述疏水性膜的一個表面已經被親水性處理。

14.權利要求13的去除污染物用單元，其包含：

供給部，其用于向所述去除污染物用分離膜的疏水性表面供給進水或進水的蒸氣；和

冷卻部，其用于冷凝和收集已經穿過所述去除污染物用分離膜的經處理的水。

15.權利要求14的去除污染物用單元，其還包含設置在所述去除污染物用分離膜和所述冷卻部之間的間隙部。

16.權利要求14的去除污染物用單元，其中所述冷卻部包含冷凝器和冷卻水中的一種或它們兩者。

17.權利要求15的去除污染物用單元，其中所述間隙部保持為真空狀態，或者將空氣或由惰性氣體構成的吹掃氣注入到所述間隙部中。

18.一種膜蒸餾裝置，其包含權利要求1的去除污染物用分離膜。

19.一種加濕器，其包含權利要求1的去除污染物用分離膜。

20.一種凈水器，其包含權利要求1的去除污染物用分離膜。