[發明專利]用于控制固態納米孔的大小的方法

有效

• 申請號: 201380036310.2
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN104411386B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: M·戈丁;E·比米什;V·塔巴德-科薩;W·H·郭
• 申請（專利權）人: 渥太華大學
• 主分類號: B01D67/00
• 分類號: B01D67/00;G01B7/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 楊勇;鄭建暉

1.一種用于精確地擴大形成在膜中的納米孔的大小的方法，包括：

a)為在納米孔中感生出電場的電勢選擇一個值，其中所述電場在0.1伏每納米以上；

b)在一個預定時間段內，以所選擇的值將電勢施加穿過布置在離子溶液中的納米孔；

c)在所述預定時間段之后，將施加穿過所述納米孔的所述電勢減少到一個值，該值小于所選擇的值；

d)在以已減少的值施加電勢時，測量流經納米孔的電流；以及

e)部分地基于所測量的電流確定所述納米孔的大小。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括當所測量的電流等于或超過一個閾值時，移除施加穿過所述納米孔的所述電勢。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括

f)當所測量的電流小于所述閾值時，將施加穿過所述納米孔的所述電勢增加到所選擇的值，以及

g)重復步驟(b)-(f)直到所測量的電流等于或超過所述閾值。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括選擇所述電勢的值使得所述電場為近似0.3伏每納米。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括選擇所述電勢的值使得所述電場在0.10伏每納米到0.4伏每納米的范圍內。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括在使歐姆離子電流能夠穩定的時間段內，以所述已減少的值施加電勢。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括當所測量的電流小于所述閾值時，以所選擇的值重新施加電勢穿過所述納米孔，其中所述電勢的極性被反向。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括增加所述電勢的幅值以增加所述納米孔的增長速率。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括增加所述離子溶液的離子強度以增加所述納米孔的增長速率。

10.一種用于精確地擴大形成在膜中的納米孔的大小的方法，包括：

施加電勢穿過布置于離子溶液中的納米孔，所述電勢具有在高值和低值之間振蕩的脈沖波形；

在所述電勢以低值被施加穿過所述納米孔時，測量流經納米孔的電流；

部分地基于所測量的電流確定所述納米孔的大小；以及

當所述納米孔的大小對應于期望的大小時，移除施加到所述納米孔的所述電勢。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括為所述電勢選擇所述高值，使得所述電場落在0.1伏每納米到0.4伏每納米的范圍內。

12.根據權利要求10所述的方法，還包括為所述電勢選擇所述低值，使得所述電場在0.1伏每納米以下。

13.根據權利要求10所述的方法，其中確定所述納米孔的大小包括：比較所測量的電流和一個閾值，并且當所測量的電流超過所述閾值時移除穿過所述納米孔的所述電勢。

14.根據權利要求10所述的方法，還包括每隔一個脈沖使所述高值的極性在一個正值和一個負值之間交替。

15.一種用于精確地擴大形成在膜中的納米孔的大小的方法，包括：

為在納米孔中感生出電場的電勢選擇一個值，其中所述電場在0.1伏每納米以上；

以所選擇的值施加電勢穿過布置于離子溶液中的納米孔；

在所述電勢被施加穿過所述納米孔時，測量流經納米孔的電流；

部分地基于所測量的電流估計所述納米孔的大小；以及

當所測量的電流超過一個閾值時移除施加穿過所述納米孔的所述電勢。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括

將施加穿過所述納米孔的所述電勢減少到一個值，該值小于所選擇的值；

在以已減少的值施加電勢時，測量流經所述納米孔的電流；以及

在以已減少的值施加電勢時，部分地基于所測量的電流確定所述納米孔的大小。

17.根據權利要求15所述的方法，還包括選擇所述電勢的值，使得所述電場為近似0.3伏每納米。

18.根據權利要求15所述的方法，還包括選擇所述電勢的值，使得所述電場落在0.10伏每納米到0.4伏每納米的范圍內。