[發明專利]針對檢測保護的虛擬存儲器擦除或編程方法

在審

• 申請號: 201380036297.0
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN104428838A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: M·米蘭達特
• 申請（專利權）人: 英賽瑟庫爾公司
• 主分類號: G11C16/22
• 分類號: G11C16/22;G11C16/34
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種編程或擦除非易失性存儲器的存儲器基元的方法，包括：

第一存儲器基元(T1)的第一擦除或編程循環，包括以下步驟：

i)施加(S11，S33)至少一個擦除或編程脈沖(Np)到所述存儲器基元，

ii)確定(S14，S34)所述存儲器基元的狀態：擦除的或者編程的，以及

iii)如果所述存儲器基元不在想要的狀態，重復步驟i)和ii)，

其特征在于，其還包括第二存儲器基元(T2)的第二擦除或編程循環，包括施加(S24，S33)預定數量(N21，N22)的擦除或編程脈沖到所述第二存儲器基元。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預定數量(N21，N22)的擦除或編程脈沖是在第一存儲器基元的至少一個第一擦除或編程循環期間，被施加到第一存儲器基元(T1)的脈沖的第一數量(N11_i，N12_i)的函數。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第二循環包括：

iv)施加(S24，S33)至少一個擦除或編程脈沖(Np)到所述存儲器基元，

v)確定(S25，S34)所述存儲器基元的所述狀態：擦除的或編程的，以及

vi)重復步驟iv)和v)，直到所述預定數量(N21，N22)的擦除或編程脈沖被施加到所述第二存儲器基元。

4.根據權利要求1到3中的一個所述的方法，包括驗證(S35)所述擦除或編程循環是在所述第一(T1)還是在所述第二(T2)存儲器基元上進行的步驟。

5.根據權利要求1到4中的一個所述的方法，其中所述第一擦除或編程循環包括存儲施加到所述第一存儲器基元的以將所述第一存儲器基元設為想要的狀態的脈沖的所述數量(N11，N12)的步驟(S18，S39)。

6.根據權利要求1到5中的一個所述的方法，其中擦除或編程脈沖的所述預定數量(N21，N22)是根據以下方法的至少一種來確定的：

擦除或編程脈沖的所述預定數量(N21，N22)是在第一存儲器基元的一個第一擦除或編程循環期間，施加到所述第一存儲器基元的擦除或編程脈沖的所述數量的(N11_i,N12_i)的函數；

擦除或編程脈沖的所述預定數量(N21，N22)是在第一存儲器基元的多個第一擦除或編程循環期間，施加到所述第一存儲器基元的擦除或編程脈沖的數量(N11_i,N12_i)的平均值的函數；

擦除或編程脈沖的所述預定數量(N21，N22)是在第一存儲器基元的多個第一擦除或編程循環期間，施加到所述第一存儲器基元的擦除或者編程脈沖的數量(N11_i,N12_i)的最大值的函數。

7.根據權利要求1到6所述的方法，包括：

通過所述第一擦除或編程循環，將常規數據寫入所述第一存儲器基元(T1)中，以及

通過所述第二擦除或編程循環，將假數據寫入所述第二存儲器基元(T2)中。

8.一種非易失性存儲器(MEM)，包括：

存儲器基元(MA)陣列(MA)，以及

控制電路(CCT)，所述控制電路被配置為進行所述存儲器(MA)的第一存儲器基元(T1)的第一擦除或編程循環，所述第一擦除或編程循環包括以下步驟：

i)施加(S11，S33)至少一個擦除或編程脈沖(Np)到所述存儲器基元，

ii)確定(S14，S34)所述存儲器基元的狀態：擦除的或編程的，以及

iii)如果所述存儲器基元不在想要的狀態，重復步驟i)和ii)，

其特征在于，所述控制電路還被配置為進行第二存儲器基元(T2)的第二擦除或編程循環，包括施加(S24，S33)預定數量的(N21，N22)擦除或編程脈沖到所述第二存儲器基元。

9.根據權利要求8所述的非易失性存儲器，其中所述控制電路被配置為作為在第一存儲器基元的至少一個第一擦除或編程循環期間施加到第一存儲器基元(T1)的脈沖的第一數量(N11_i,N12_i)的函數來確定擦除或編程脈沖的所述預定數量(N21,N22)。