[發(fā)明專利]用于大面積半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380036218.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-09-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104471705B | 公開（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | R·J·博諾;N·索拉諾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 保險(xiǎn)絲公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/12 | 分類號(hào)： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 申發(fā)振 |
| 地址： | 美國(guó)伊*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體芯片 封裝 低熱 安裝表面 襯底 減小 接合 常規(guī)的 熱循環(huán) 中芯片 半導(dǎo)體 芯片 延伸 力量 | ||
1.用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，包括：
襯底；
基座，從所述襯底延伸以支撐半導(dǎo)體芯片離開所述襯底，并在所述襯底和所述半導(dǎo)體芯片的懸突部分之間形成間隙，以允許所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹和收縮，所述基座具有比要被安裝到所述基座的半導(dǎo)體芯片的安裝表面小的安裝表面；
熱沉，耦接到所述襯底，所述熱沉延伸超出所述基座的安裝表面并延伸超出所述半導(dǎo)體芯片的安裝表面；以及
焊料層，所述焊料層將所述襯底附接到所述基座。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，其中所述基座包括銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，其中所述基座采用以下的至少一種形成：壓印，沖壓，或蝕刻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，其中所述基座的安裝表面的面積為所述半導(dǎo)體芯片的安裝表面的面積的75％或更小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，其中所述基座的安裝表面的面積為所述半導(dǎo)體芯片的安裝表面的面積的50％或更小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，其中所述基座采用回流焊接工藝焊接到所述襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，其中所述基座具有大約39mil的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體芯片的低熱應(yīng)力封裝，其中所述基座具有大約200mil的第一寬度和長(zhǎng)度。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括：
具有基座部、襯底部和熱沉的低熱應(yīng)力封裝；以及
安裝在所述低熱應(yīng)力封裝的所述基座部上的半導(dǎo)體芯片；
焊料層，將所述基座部附接到所述襯底部；
其中所述基座部支撐所述半導(dǎo)體芯片離開所述襯底部并在所述襯底部和所述半導(dǎo)體芯片的懸突部分之間形成間隙；
其中所述基座部具有比所述半導(dǎo)體芯片的安裝表面小的安裝表面，并且其中所述熱沉延伸超出所述半導(dǎo)體芯片的懸突部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基座部被布置在所述半導(dǎo)體芯片的襯底部之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述襯底部和所述基座部采用以下的至少一種形成：壓印，沖壓，或蝕刻。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中低基座部包括銅。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基座部采用回流焊接工藝焊接到所述襯底。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體芯片是具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片層疊體。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基座部的安裝表面的面積為所述半導(dǎo)體芯片的安裝表面的面積的75％或更小。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基座部的安裝表面的面積為所述半導(dǎo)體芯片的安裝表面的面積的50％或更小。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基座部具有大約39mil的高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述基座部具有大約200mil的第一寬度和長(zhǎng)度。
19.一種最小化半導(dǎo)體器件熱應(yīng)力的方法，所述方法包括：
將半導(dǎo)體芯片安裝到低熱應(yīng)力封裝的基座部，使得所述基座部支撐所述半導(dǎo)體芯片離開襯底部，并在所述襯底部和所述半導(dǎo)體芯片的懸突部分之間形成間隙，以允許所述半導(dǎo)體芯片的熱膨脹和收縮；
將所述襯底部附接到所述基座部；
將熱沉耦接到所述襯底部，所述熱沉延伸超出所述半導(dǎo)體芯片的懸突部分。
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