[發明專利]用于電壓瞬變電路保護的撬棒器件

在審

• 申請號: 201380035743.6
• 申請日: 2013-07-03
• 公開（公告）號: CN104412339A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: A·申;E·考;常廷芳
• 申請（專利權）人: 保險絲公司
• 主分類號: H01C7/12
• 分類號: H01C7/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王莉莉

1.一種電路保護組件，包括：

轉向二極管橋；以及

電連接到所述轉向二極管橋的撬棒器件，所述撬棒器件具有形成在第一層上的基極和發射極，所述第一層限定擊穿電壓，當所述擊穿電壓被超過時，允許電流在所述發射極下面穿過，并通過形成在所述發射極中的空穴而穿出器件。

2.根據權利要求1所述的電路保護組件，還包括第一端子和第二端子，所述第一端子和第二端子被配置為將所述電路保護組件連接到待保護的電路。

3.根據權利要求2所述的電路保護組件，其中所述轉向二極管橋包括第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管。

4.根據權利要求3所述的電路保護組件，其中所述第一端子電連接到所述第一二極管的陽極和所述第二二極管的陰極，所述第一二極管的陰極電連接到所述第三二極管的陰極，所述第二二極管的陽極電連接到所述第四二極管的陽極，以及所述第二端子電連接到所述第三二極管的陽極和所述第四二極管的陰極。

5.根據權利要求4所述的電路保護組件，其中撬棒器件的陽極電連接到所述第二二極管和第四二極管的陽極，而撬棒器件的陰極電連接到所述第一二極管和第三二極管的陰極。

6.根據權利要求1所述的電路保護組件，其中所述轉向二極管橋包括多個二極管，所述多個二極管由N型襯底上的高電阻率外延層形成，其中所述高電阻率外延層具有大于或等于50Ω·cm的電阻率。

7.根據權利要求6所述的電路保護組件，其中相對于所述高電阻率外延層的摻雜，N型襯底是重摻雜的。

8.根據權利要求7所述的電路保護組件，其中所述外延層的厚度在5至15微米之間。

9.一種用于電路保護組件的撬棒器件，包括：

襯底；

形成在所述襯底的底部區域中的擴散層；

形成在所述襯底上的基極；以及

形成在所述基極上的具有空穴的發射極，所述撬棒器件具有擊穿電壓，當所述擊穿電壓被超過時，允許電流在所述發射極下面穿過，并通過形成在所述發射極中的空穴而穿出器件。

10.根據權利要求9所述的撬棒器件，其中所述襯底具有大約25Ω·cm的電阻率。

11.根據權利要求9所述的撬棒器件，其中所述襯底是N型襯底。

12.根據權利要求9所述的撬棒器件，其中所述擴散層通過對所述襯底的所述底部區域摻雜以形成P+型擴散區域來形成。

13.根據權利要求9所述的撬棒器件，其中所述基極是P型半導體。

14.根據權利要求9所述的撬棒器件，其中所述發射極是N型半導體。

15.根據權利要求9所述的撬棒器件，其中所述擊穿電壓在8至50伏之間。

16.一種用于電路保護組件的撬棒器件，包括：

襯底；

形成在所述襯底上的外延層；

形成在所述外延層上的基極；以及

形成在所述基極上的具有空穴的發射極，所述撬棒器件具有擊穿電壓，當所述擊穿電壓被超過時，允許電流在所述發射極下面穿過，并通過形成在所述發射極中的空穴而穿出器件。

17.根據權利要求16所述的撬棒器件，其中所述基極是P型半導體。

18.根據權利要求16所述的撬棒器件，其中所述發射極是N+型半導體。

19.根據權利要求16所述的撬棒器件，其中所述襯底是P型半導體。

20.根據權利要求16所述的撬棒器件，其中所述擊穿電壓在8至50伏之間。