[發明專利]用于制備含有清潔腔的真空絕緣玻璃VIG單元的方法及裝置有效
| 申請號: | 201380035504.0 | 申請日: | 2013-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN104411909B | 公開(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發明(設計)人: | 蒂莫西·A.·丹尼斯;安德魯·W.·潘特克;杰弗里·A.·瓊斯 | 申請(專利權)人: | 葛迪恩實業公司 |
| 主分類號: | E06B3/66 | 分類號: | E06B3/66;E06B3/677;C03C23/00;E06B3/663 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人: | 劉培培,黎艷 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制備 含有 清潔 真空 絕緣 玻璃 vig 單元 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于制備真空絕緣玻璃(VIG)窗單元的方法和裝置,該方法,包括清潔形成于VIG單元的第一和第二玻璃基片之間的腔。特別是,本發明涉及一種用于清潔VIG單元的腔的方法,從腔中去除殘余雜質,例如殘余的碳氫化合物和/或聚合物粘合劑和/或制造工程后剩下的溶劑。本發明進一步涉及一種在清潔工程氣體中使用臭氧,從而來氧化和/或減少基于化合物的殘余碳,使其在用于制備VIG單元的后續過程期間更適合(或更易于)移動,例如,使殘余的化合物更易揮發。
背景和示例性實施例概述
真空絕緣玻璃VIG單元通常包括至少兩個分離的玻璃基片,其中附有排空或低壓空間/腔。上述基片由外邊緣密封互相連接并通常包括隔離片,位于玻璃基片之間,來保持玻璃基片之間的間距,防止由于基片之間的低壓環境而造成的玻璃基片損毀。一些示例性VIG配置在類似美國專利Nos. 5,664,395,5,657,607和5,902,652中被公開,在此其公開的內容被納入此處作為參照。
圖1和圖2示出現有的VIG單元1和用于形成VIG單元1的元件。例如 VIG單元1可包括兩個分離的玻璃基片2、3,其中附有排空或低壓空間/腔6。玻璃片或基片2、3由外邊緣密封4互相連接,其可由熔融焊料玻璃被制成。玻璃基片2、3之間可包括一組支承柱/隔離片5,鑒于基片2、3之間存在的低壓空間/間隙,來維持VIG單元1的基片2、3的間距。
泵出管8可通過焊料玻璃9被氣密密封至孔/空穴10,從玻璃基片2的內表面通向玻璃基片2外表面中的凹槽11底部。真空被連接至泵出管8,將內部腔6排空至低壓,例如,使用連續的泵送操作。在腔6排空后,管8被熔化來密封真空。凹槽11用來固定密封的泵出管8。選擇性地,凹槽13中可包括化學吸氣劑12,其配置在玻璃基片,例如,玻璃基片2的內表面中。化學吸氣劑12可用來吸收腔6被排空和密封之后剩下的殘余雜質。
通常,具熔融焊料玻璃外邊緣密封4的VIG單元,通過在基片2的外圍沉積溶液狀(例如,熔塊糊狀)的玻璃熔塊被制造。該玻璃熔塊糊狀物最終形成玻璃焊料邊緣密封4。第二基片3被配置在基片2上,從而使隔離片/支承柱5和玻璃熔塊溶液夾在兩個基片2,3之間。整個組件包括玻璃基片2,3、隔離片或支承柱5、和密封材料(例如,溶液狀或糊狀的玻璃熔塊),然后加熱到至少約500℃的溫度,此時玻璃熔塊被熔化弄濕玻璃基片2,3的表面,并最終形成氣密密封的外圍或邊緣密封4。
邊緣密封4形成之后,真空通過泵出管8被抽出,在基片2,3之間形成低壓空間/腔6。空間6中的壓力可通過排空處理方式產生且水平低于大氣壓力,例如10-2Torr以下。為了在空間/腔6中維持低壓力,基片2,3被氣密密封。在基片之間提供小的高強度隔離片/支承柱5,以維持基本平行的基片分離來對抗大氣壓力。如上所述,當基片2,3之間的空間6被排空,泵出管 8可被密封,例如,通過激光熔化或類似等。
如上所述,由于制造VIG,包括用于形成密封4的處理后,殘余的碳氫化合物和/或聚合物仍可能留在真空腔中,例如用于制備最終在VIG單元的透明玻璃基片之間形成密封的熔塊糊狀物的溶劑和粘合劑。由于該殘留物隨時間推移會潛在地對VIG單元具破壞性影響,因此應去除該殘留物。例如,在VIG被密封(例如,通過產生揮發性COX氣體來降低真空水平)之后,殘余的碳氫化合物和/或聚合物可能會污染真空腔,并因此繼續降低VIG單元的絕熱值(例如,R值)。該殘余的碳氫化合物也可能與涂層起反應,例如低輻射涂層可能存在于玻璃基片的內表面上形成真空腔,進一步損壞VIG單元的性能。
如上所述,通常,具熔融焊料玻璃邊緣密封4的VIG單元,通過在基片 2的外圍沉積溶液狀(例如,熔塊糊狀)的玻璃熔塊被制造。該玻璃熔塊最終形成玻璃焊料密封4。第二基片3被配置在基片2上,從而使隔離片/支承柱5 和玻璃熔塊溶液夾在兩個基片2,3之間。整個組件包括玻璃基片2,3、隔離片/支承柱5、和密封材料(例如,在溶液狀的玻璃熔塊),然后加熱到至少約500℃的溫度,此時玻璃熔塊被熔化弄濕玻璃基片2,3的表面,最終形成氣密密封4。提供高溫處理的優點在于,密封之前,殘余的碳氫和/或聚合化合物的大部分,例如,用于制備焊料玻璃密封4的熔塊糊狀物的粘合劑和溶劑,可在該處理期間被氧化或燒去并由此從真空腔中被去除。
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