[發明專利]微芯片和用于制造微芯片的方法

在審

• 申請號: 201380035497.4
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN104412110A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 渡邊英俊;瀨川雄司;加藤義明
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G01N35/08
• 分類號: G01N35/08;B01J19/00;G01N37/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種微芯片，包括：

多個基板層；以及

接合層，設置在所述基板層之間的界面處并且所述接合層被配置為包括硅化合物，

其中，所述接合層中的至少一層被配置為包括有機硅化合物。

2.根據權利要求1所述的微芯片，

其中，所述多個基板層包括由非硅樹脂制成的基板層以及由聚二甲基硅氧烷制成的基板層，以及

其中，由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層的兩個表面通過所述接合層接合到由非硅樹脂制成的第一基板層以及由非硅樹脂制成的第二基板層。

3.根據權利要求2所述的微芯片，

其中，由非硅樹脂制成的所述第一基板層在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層的接合面上具有凹槽，

其中，由非硅樹脂制成的所述第二基板層和由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層通過由有機硅化合物制成的所述接合層接合，由非硅樹脂制成的所述第二基板層在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層的接合面上不具有凹槽。

4.根據權利要求3所述的微芯片，其中，由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層通過由無機硅化合物制成的接合層接合到由非硅樹脂制成的所述第一基板層。

5.根據權利要求2所述的微芯片，

其中，由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層在接合到由非硅樹脂制成的所述第一基板層的接合面上具有凹槽，

其中，由非硅樹脂制成的所述第一基板層以及由非硅樹脂制成的所述第二基板層各自通過由有機硅化合物制成的所述接合層接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層。

6.根據權利要求4所述的微芯片，其中，由非硅樹脂制成的所述第一基板層以及由非硅樹脂制成的所述第二基板層由丙烯酸樹脂或聚碳酸酯組成。

7.根據權利要求6所述的微芯片，其中，由非硅樹脂制成的所述第一基板層以及由非硅樹脂制成的所述第二基板層是不透氣的。

8.根據權利要求7所述的微芯片，

其中，由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板層由于彈性形變具有自密封能力，

其中，所述凹槽的內部空間相對于大氣壓是負壓的。

9.一種用于制造微芯片的方法，所述方法包括：

將包含硅化合物的可交聯組合物涂覆由非硅樹脂制成的第一基板層的凹槽形成表面的沉積處理，所述第一基板層的所述凹槽形成表面設置有凹槽；以及

將包含有機硅化合物的可交聯組合物涂覆由非硅樹脂制成的第二基板層的表面的涂覆處理，所述第二基板層的所述表面未設置有凹槽。

10.根據權利要求9所述的用于制造微芯片的方法，所述方法包括：

將由非硅樹脂制成的所述第一基板層的所述凹槽形成表面和由非硅樹脂制成的所述第二基板層的所述表面各自粘貼到由聚二甲基硅氧烷制成的基板層的接合處理，所述第一基板層的所述凹槽形成表面涂覆了包含硅化合物的所述可交聯組合物，所述第二基板層的所述表面涂覆了包含有機硅化合物的所述可交聯組合物并且所述第二基板層的所述表面未設置有凹槽。