[發(fā)明專利]氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu)和使用了該氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu)的基板處理裝置、以及氣體團(tuán)簇照射方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380035374.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104428875B | 公開(公告)日: | 2017-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 井內(nèi)健介;土橋和也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304;H01L21/302;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 照射 機(jī)構(gòu) 使用 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其向被保持為真空的處理容器內(nèi)噴射氣體并利用絕熱膨脹來生成氣體團(tuán)簇,向配置于上述處理容器內(nèi)的被處理基板照射氣體團(tuán)簇,其中,
該氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu)包括:
噴嘴單元,其具有多個(gè)向上述處理容器內(nèi)噴射氣體的氣體噴射噴嘴;以及
氣體供給部,其向上述噴嘴單元供給用于生成氣體團(tuán)簇的氣體,
以這樣的方式設(shè)定上述噴嘴單元的上述氣體噴射噴嘴的根數(shù):自上述氣體噴射噴嘴以需要的流量供給上述氣體時(shí)上述處理容器內(nèi)所到達(dá)的壓力成為不破壞氣體團(tuán)簇的程度的壓力,
在上述噴嘴單元中,以這樣的方式配置上述多個(gè)氣體噴射噴嘴中的相鄰的氣體噴射噴嘴:自該相鄰的氣體噴射噴嘴噴射出的氣體中的無助于氣體團(tuán)簇的形成的殘留氣體的擴(kuò)散范圍互不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其中,
在向上述噴嘴單元供給的氣體的供給壓力為1Mpa以下時(shí),上述處理容器內(nèi)的壓力為0.3kPa以下,在上述供給壓力超過1Mpa且為5Mpa以下時(shí),上述處理容器內(nèi)的壓力為3kPa以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其中,
上述多個(gè)氣體噴射噴嘴中的相鄰的氣體噴射噴嘴彼此的距離為20mm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其中,
上述噴嘴單元和上述被處理基板以能夠相對(duì)移動(dòng)的方式設(shè)置,一邊使上述噴嘴單元和上述被處理基板相對(duì)移動(dòng)一邊向上述被處理基板的整個(gè)面照射氣體團(tuán)簇。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其中,
該氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu)具有多個(gè)上述噴嘴單元,自上述多個(gè)噴嘴單元中的一個(gè)噴嘴單元噴射氣體,并且,依次改變噴嘴單元來噴射氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其中,
上述多個(gè)噴嘴單元中的相互相鄰的噴嘴單元中的上述氣體噴射噴嘴的位置錯(cuò)開。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其中,
將上述相互相鄰的噴嘴單元中的上述氣體噴射噴嘴的錯(cuò)開的距離設(shè)為與來自一個(gè)氣體噴射噴嘴的氣體團(tuán)簇照射范圍相同或比該氣體團(tuán)簇照射范圍小,
將上述噴嘴單元的數(shù)量設(shè)為在上述被處理基板的直徑方向上不形成沒有自上述氣體噴射噴嘴照射氣體團(tuán)簇的部分的數(shù)量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其中,
上述氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu)設(shè)于用于向上述處理容器輸送上述被處理基板的真空傳遞腔室或者加載互鎖腔室,并在用于輸送上述被處理基板的輸送臂上載置了上述被處理基板的狀態(tài)下進(jìn)行氣體團(tuán)簇的照射。
9.一種基板處理裝置,其包括:
處理容器,其被保持為真空;
基板支承部,其用于在上述處理容器內(nèi)支承被處理基板;以及
氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu),其向上述處理容器內(nèi)噴射氣體并利用絕熱膨脹來生成氣體團(tuán)簇,向上述被處理基板照射氣體團(tuán)簇,
該基板處理裝置利用氣體團(tuán)簇對(duì)上述被處理基板實(shí)施預(yù)定的處理,其中,
上述氣體團(tuán)簇照射機(jī)構(gòu)具有:
噴嘴單元,其具有多個(gè)向上述處理容器內(nèi)噴射氣體的氣體噴射噴嘴;
氣體供給部,其向上述噴嘴單元供給用于生成氣體團(tuán)簇的氣體,
以這樣的方式設(shè)定上述噴嘴單元的上述氣體噴射噴嘴的根數(shù):自上述氣體噴射噴嘴以需要的流量供給上述氣體時(shí)上述處理容器內(nèi)所到達(dá)的壓力成為不破壞氣體團(tuán)簇的程度的壓力,
在上述噴嘴單元中,以這樣的方式配置上述多個(gè)氣體噴射噴嘴中的相鄰的氣體噴射噴嘴:自該相鄰的氣體噴射噴嘴噴射出的氣體中的無助于氣體團(tuán)簇的形成的殘留氣體的擴(kuò)散范圍互不重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置,其中,
在向上述噴嘴單元供給的氣體的供給壓力為1Mpa以下時(shí),上述處理容器內(nèi)的壓力為0.3kPa以下,在上述供給壓力超過1Mpa且為5Mpa以下時(shí),上述處理容器內(nèi)的壓力為3kPa以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置,其中,
上述多個(gè)氣體噴射噴嘴中的相鄰的氣體噴射噴嘴彼此的距離為20mm以上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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