[發明專利]涂覆阻擋涂層的納米結構

有效

• 申請號: 201380035356.2
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN104412096B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: R·溫貝格爾－弗里德爾;C·R·M·德維茨;C·A·范登赫費爾
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: G01N21/55
• 分類號: G01N21/55;G01N21/64;G01N21/65;B82Y15/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

1.包括納米結構的裝置，其包括：

用于測量周圍的介質的介電性能的電極，所述電極包括：

納米結構，所述納米結構由導電材料制成，和

阻擋涂層，所述阻擋涂層包含Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物，厚度至少為1nm，其中通過原子層沉積(ALD)來在所述納米結構上沉積所述阻擋涂層，和

由阻擋涂層覆蓋的所述納米結構包含允許與生物分子化學偶聯的化學官能團，并且其中所述納米結構與生物分子偶聯；

其中，所述納米結構為納米光子結構，并且其中所述裝置允許通過在所述納米光子結構的開口中產生倏逝場而進行表面特異性的檢測；和

其中，所述納米結構包括多條線的線柵。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述納米結構包括多條纖維的線柵。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述導電材料選自Cu、Au、Ag、Cr、Pt、Ni、Pd以及Al和/或其中所述阻擋涂層包含Hf氧化物。

4.根據權利要求1-3任一項所述的裝置，其中所述裝置適合生物測定和/或其中由阻擋涂層覆蓋的所述結構耐液體離子和/或清潔劑溶液的降解。

5.根據權利要求1-3任一項所述的裝置，其中所述裝置適合生物測定和/或其中由阻擋涂層覆蓋的所述結構耐鹽溶液的降解。

6.根據權利要求1-3任一項所述的裝置，其中所述裝置適合生物測定和/或其中由阻擋涂層覆蓋的所述結構耐緩沖溶液的降解。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中所述化學官能團來自于與雙官能有機硅烷的反應。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述化學官能團為醛官能團、伯胺官能團、仲胺官能團、羧基官能團或環氧化物官能團。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述裝置包括納米尺度的開口，該開口在至少一個方向上的尺寸小于光的光學分辨率。

10.根據權利要求1-3任一項所述的裝置，其中所述裝置為測序裝置、熒光檢測器或用于檢測核酸或蛋白質的微陣列。

11.檢測權利要求9或10定義的裝置中的目標化合物的方法，其包括以下步驟：

(a)發出具有波長的輻射，該輻射在所述裝置入射；

(b)響應于在所述裝置入射的輻射，通過所述裝置提供倏逝輻射；以及

(c)響應于所述入射的輻射，檢測存在于所述裝置中的所述目標化合物發出的輻射。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，在步驟(a)中，通過載體在所述裝置入射發出具有波長的輻射。

13.根據權利要求11或12所述的方法，其中，所述輻射是光束。

14.檢測權利要求1、2、3、4、5、6、7、8或10中任意一項定義的裝置中的目標化合物的方法，其包括以下步驟：

(a)向所述裝置的電極施加具有限定幅值及頻率的交變電場；以及

(b)響應于所述裝置中目標化合物的存在和/或量來檢測幅值和/或頻率的變化。

15.根據權利要求1-10中任意一項定義的裝置的用途，其用于(i)表面特異性地產生倏逝場，(ii)測量介質的介電性能。

16.根據權利要求1-9中任意一項定義的裝置的用途，其用于(iii)檢測目標化合物的存在或濃度，(iv)確定目標化合物的一級結構，(v)確定目標化合物與對照值的偏差，(vi)擴增目標化合物或(vii)監測目標化合物的擴增。