[發明專利]用于晶錠研磨的系統和方法

無效

• 申請號: 201380035059.8
• 申請日: 2013-05-02
• 公開（公告）號: CN104411456A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: J·A·希克斯;N·R·墨丘里奧
• 申請（專利權）人: MEMC新加坡私人有限公司
• 主分類號: B24B9/06
• 分類號: B24B9/06;C30B33/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 秘鳳華;吳鵬

1.一種研磨晶錠的方法，該晶錠用于制造半導體或太陽能晶片，該方法包括：

提供包括四個平的側面和四個角部的晶錠，每個角部在一對相鄰的平的側面之間延伸；以及

在每個角部上研磨出多個平的小面，所述角部的每個平的小面在接合部處與相鄰的小面連接，并且定向成使得每個角部具有大體弓形的形狀。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，研磨出多個平的小面包括：

將晶錠旋轉至預定的位置；

使研磨表面朝角部前進以使得研磨表面在角部上形成其中一個平的小面；以及

將研磨表面從角部處退回。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括使接合部平滑，以使得每個角部具有平滑的、無折痕的表面。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，使接合部平滑包括：

使晶錠繞著晶錠的縱向軸線以小的增量來回旋轉；以及

在晶錠來回旋轉時將研磨表面施加于接合部。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，每個角部包括在第一交界部處與第一平的側面連接的第一平的小面和在第二交界部處與第二平的側面連接的第二平的小面，所述方法還包括使第一和第二交界部平滑以在角部和平的側面之間形成平滑的表面。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，提供晶錠包括提供由單晶硅制成的晶錠。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在每個角部上研磨出多個平的小面包括：研磨出多個平的小面以使得每個大體弓形的角部具有約100毫米的半徑。

8.一種半導體或太陽能材料的晶錠，所述晶錠包括：

四個平的側面；以及

在每對相鄰的平的側面之間延伸的角部，每個角部包括多個平的小面，角部的每個平的小面在接合部處與相鄰的小面連接并且定向成使得每個角部具有大體弓形的形狀。

9.根據權利要求8所述的晶錠，其特征在于，每個接合部是倒圓的，以使得每個角部具有平滑的、無折痕的表面。

10.根據權利要求8所述的晶錠，其特征在于，每個角部包括在第一交界部處與第一平的側面連接的第一平的小面和在第二交界部處與第二平的側面連接的第二平的小面，并且所述第一和第二交界部是倒圓的以在角部和平的側面之間形成平滑的表面。

11.根據權利要求8所述的晶錠，其特征在于，所述晶錠是由單晶硅制成的。

12.根據權利要求8所述的晶錠，其特征在于，每個大體弓形的角部具有約100毫米的半徑。

13.根據權利要求8所述的晶錠，其特征在于，每個角部包括至少六個平的小面。

14.一種太陽能或半導體材料的晶片，該晶片包括：

多個平的側面；以及

在一對相鄰的平的側面之間延伸的角部，所述角部包括多個平的小面，所述角部的每個平的小面在接合部處與相鄰的小面連接并且定向成以使得角部具有大體弓形的形狀。

15.根據權利要求14所述的晶片，其特征在于，每個接合部是倒圓的以使得角部具有平滑的、無折痕的表面。

16.根據權利要求14所述的晶片，其特征在于，所述角部包括在第一交界部處與第一平的側面連接的第一平的小面和在第二交界部處與第二平的側面連接的第二平的小面，并且所述第一和第二交界部是倒圓的以在角部與第一和第二平的側面之間形成平滑的表面。

17.根據權利要求14所述的晶片，其特征在于，所述晶片包括四個平的側面和四個角部。

18.根據權利要求14所述的晶片，其特征在于，所述晶片是由單晶硅制成的。

19.根據權利要求14所述的晶片，其特征在于，所述大體弓形的角部具有約100毫米的半徑。

20.根據權利要求14所述的晶片，其特征在于，所述角部包括至少六個平的小面。