[發明專利]可編程部件的混合技術組合件

有效

• 申請號: 201380034878.0
• 申請日: 2013-04-30
• 公開（公告）號: CN104520996B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: 阿瑟·S·莫里斯
• 申請（專利權）人: 維斯普瑞公司
• 主分類號: H01L29/00
• 分類號: H01L29/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,吳孟秋

1.一種調諧部件的可編程組合件，包括：

一個或多個第一可切換部件，被配置為輸送第一可變電抗，所述一個或多個第一可切換部件包括耦接至一個或多個固態電容器的一個或多個開關；以及

一個或多個第二可切換部件，被配置為輸送第二可變電抗，所述一個或多個第二可切換部件包括一個或多個可變電容器，其中，所述一個或多個第二可切換部件的每一個包括至少第一電容電極，所述第一電容電極相對于第二電容電極是可移動的以改變所述第一電容電極與所述第二電容電極之間的電容；

其中，所述一個或多個第一可切換部件的所述第一可變電抗與所述一個或多個第二可切換部件的所述第二可變電抗輸送組合式可變電抗。

2.根據權利要求1所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個第一可切換部件包括一個或多個固態受控器件；并且

其中，所述一個或多個第二可切換部件包括一個或多個微機電(MEMS)電容器；

其中，所述組合式可變電抗包括組合式可變電容。

3.根據權利要求2所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個開關包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)開關。

4.根據權利要求2所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個開關包括絕緣體上硅(SOI)或藍寶石上硅(SOS)開關。

5.根據權利要求2所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個固態電容器中的每一個包括金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器或者MIM電容器的多層綜合。

6.根據權利要求2所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個固態受控器件位于所述一個或多個微機電電容器下方或上方。

7.根據權利要求2所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個固態受控器件中的每一個提供比所述一個或多個微機電電容器中的每一個的電容范圍小的電容調諧范圍。

8.根據權利要求7所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個微機電電容器中的每一個提供0.25pF的電容調諧范圍；并且

其中，所述一個或多個固態受控器件中的每一個提供0.125pF或更小的電容調諧范圍。

9.根據權利要求7所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個固態受控器件包括具有不同的電容調諧范圍的多個固態受控器件。

10.根據權利要求7所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個微機電電容器中的每一個提供第一預定電容調諧范圍；并且

其中，所述一個或多個固態受控器件中的每一個提供小于或等于所述第一預定電容調諧范圍的一半(1/2)的電容調諧范圍。

11.根據權利要求10所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個固態受控器件限定電容的二進制集合，其中，所述一個或多個固態受控器件中的每個電容器i提供所述第一預定電容調諧范圍的的電容調諧范圍。

12.根據權利要求1所述的調諧部件的可編程組合件，其中，所述一個或多個第一可切換部件以及所述一個或多個第二可切換部件被布置在單個單片半導體管芯中。

13.一種制造調諧部件的可編程組合件的方法，所述方法包括：

制造一個或多個第一可切換部件，所述一個或多個第一可切換部件被配置為輸送第一可變電抗，其中，制造一個或多個第一可切換部件包括制造耦接至一個或多個固態電容器的一個或多個開關；以及

在所述一個或多個第一可切換部件的頂部、下方或旁邊安裝一個或多個第二可切換部件，所述一個或多個第二可切換部件被配置為輸送第二可變電抗，所述一個或多個第二可切換部件包括一個或多個可變電容器，其中，所述一個或多個第二可切換部件的每一個包括至少第一電容電極，所述第一電容電極相對于第二電容電極是可移動的以改變所述第一電容電極與所述第二電容電極之間的電容；

其中，所述一個或多個第一可切換部件的所述第一可變電抗與所述一個或多個第二可切換部件的所述第二可變電抗輸送組合式可變電抗。