[發(fā)明專利]用于基板處理腔室的兩件式擋板盤組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380034832.9
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN104428885B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 振雄·馬修·蔡;阿南塔克里希納·朱普迪;羅伯特·丁斯莫爾;徐松文
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/205;C23C14/50
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,趙靜

1.一種擋板盤組件，所述擋板盤組件包括：

上盤構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面和底表面；及

下承載構(gòu)件，所述下承載構(gòu)件的至少一部分被設(shè)置于所述上盤構(gòu)件的一部分之下，以支撐所述上盤構(gòu)件并且產(chǎn)生保護性重疊區(qū)域，所述保護性重疊區(qū)域在所述上盤構(gòu)件變形時防止設(shè)置于所述擋板盤組件之下的基板支撐件的暴露，

其中所述下承載構(gòu)件包括第一開口和第二開口，所述第一開口具有第一直徑并且部分延伸進入所述下承載構(gòu)件的主體，所述第二開口延伸穿過所述下承載構(gòu)件的所述主體，所述第二開口具有第二直徑，所述第二直徑小于所述第一直徑，并且其中所述上盤構(gòu)件被完全設(shè)置在所述下承載構(gòu)件的所述第一開口和所述第二開口中。

2.如權(quán)利要求1所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件是具有中心開口的環(huán)，且其中所述下承載構(gòu)件支撐所述上盤構(gòu)件，以使得所述上盤構(gòu)件的所述底表面被設(shè)置在所述下承載構(gòu)件的中心開口之上。

3.如權(quán)利要求2所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件進一步包括：

第一特征，所述第一特征支撐所述上盤構(gòu)件；及

第二特征，所述第二特征將所述上盤構(gòu)件維持在所述下承載構(gòu)件的所述中心開口之上的位置中。

4.如權(quán)利要求3所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件包括階狀特征，所述階狀特征被設(shè)置于所述下承載構(gòu)件的所述第一特征之上，其中所述第一特征使用所述階狀特征來支撐所述上盤構(gòu)件，且其中所述上盤構(gòu)件的所述階狀特征與所述下承載構(gòu)件的所述第一特征形成所述保護性重疊區(qū)域。

5.如權(quán)利要求2至4的任一項所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件的底表面與所述上盤構(gòu)件的所述底表面實質(zhì)上共平面。

6.如權(quán)利要求2至4的任一項所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件的頂表面與底表面是實質(zhì)上平面的并且實質(zhì)上互相平行。

7.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件包括熱穩(wěn)定材料，所述熱穩(wěn)定材料具有5.4E-6m/mK至22.2E-6m/mK的熱膨脹系數(shù)。

8.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的擋板盤組件，其中所述下承載構(gòu)件包括陶瓷、涂覆有碳化硅的石墨、固體碳化硅、固體燒結(jié)的碳化硅或固體無金屬燒結(jié)的碳化硅中的至少之一。

9.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件包括導(dǎo)電材料。

10.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的擋板盤組件，其中所述上盤構(gòu)件包括金屬或金屬復(fù)合材料。

11.一種擋板盤組件，所述擋板盤組件包括：

上盤構(gòu)件，所述上盤構(gòu)件具有頂表面和底表面，其中所述上盤構(gòu)件進一步包括階狀特征，所述階狀特征被設(shè)置于所述上盤構(gòu)件的外部直徑的周圍；及

下承載構(gòu)件，所述下承載構(gòu)件具有中心開口和向內(nèi)延伸的環(huán)狀突出部，所述環(huán)狀突出部界定所述中心開口，其中所述環(huán)狀突出部依一定尺寸設(shè)計，以在所述階狀特征處支撐所述上盤構(gòu)件，并且其中所述下承載構(gòu)件包括第一開口和第二開口，所述第一開口具有第一直徑并且部分延伸進入所述下承載構(gòu)件的主體，所述第二開口延伸穿過所述下承載構(gòu)件的所述主體，所述第二開口具有第二直徑，所述第二直徑小于所述第一直徑，并且其中所述上盤構(gòu)件被完全設(shè)置在所述下承載構(gòu)件的所述第一開口和所述第二開口中。

12.一種包括如權(quán)利要求1所述的擋板盤組件的處理腔室，所述處理腔室進一步包括：

腔室主體，所述腔室主體界定內(nèi)部空間，所述內(nèi)部空間具有靶材，所述靶材包括要沉積在設(shè)置于所述腔室主體中的基板的頂部上的材料；

基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)，以支撐所述基板；及

轉(zhuǎn)移機械手，所述轉(zhuǎn)移機械手被能移動地耦接至所述腔室主體，以轉(zhuǎn)移所述擋板盤組件至所述基板支撐件并且從所述基板支撐件轉(zhuǎn)移所述擋板盤組件。

13.如權(quán)利要求12所述的處理腔室，其中所述下承載構(gòu)件是具有中心開口的環(huán)，且其中所述下承載構(gòu)件支撐所述上盤構(gòu)件，以使得所述上盤構(gòu)件的所述底表面被設(shè)置于所述下承載構(gòu)件的中心開口之上。