[發(fā)明專利]制備多晶陶瓷膜的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380034791.3
• 申請(qǐng)日: 2013-06-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104379795A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.施雷特;W.維爾興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西門子公司
• 主分類號(hào): C23C14/00
• 分類號(hào): C23C14/00;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/22;H03H3/02;H01L41/316
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周鐵;林森

1.在基材（10）的表面（12）上制備多晶陶瓷膜的方法，其中在表面（12）上導(dǎo)入粒子流并且通過(guò)所述粒子在表面（12）上的沉積而形成所述陶瓷膜，其中借助隔板沿著優(yōu)選方向在表面（12）上導(dǎo)入所述粒子流直到達(dá)到第一預(yù)定層厚度，該優(yōu)選方向與表面（12）的平面法線形成了預(yù)定的入射角，

其特征在于，

在達(dá)到預(yù)定的層厚度之后，將所述隔板從粒子流中移除，并且在表面（12）上導(dǎo)入另外的粒子直到達(dá)到第二預(yù)定層厚度。

2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述預(yù)定入射角選自0-90°的范圍和特別選自10-30°的范圍。

3.權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定層厚度為50至150?nm和優(yōu)選100?nm。

4.權(quán)利要求1至3之一的方法，其特征在于，所述第二預(yù)定層厚度為450至600?nm和優(yōu)選540?nm。

5.權(quán)利要求1至4之一的方法，其特征在于，使用由ZnO和/或AlN構(gòu)成的粒子作為所述粒子。

6.權(quán)利要求1至5之一的方法，其特征在于，所述粒子流通過(guò)濺射提供。