[發(fā)明專利]碳化硅外延晶片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380034721.8
• 申請日: 2013-05-28
• 公開（公告）號: CN104412362B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜石民
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

1.一種制造碳化硅外延晶片的方法，所述方法包括：

在襯托器中準(zhǔn)備晶片；以及

在所述晶片上生長碳化硅外延層，

其中所述在所述晶片上生長碳化硅外延層包括：

將原料供給到所述襯托器中；

使用所述原料制造中間化合物；

在所述晶片上以第一生長速度生長所述碳化硅外延層；以及

在所述晶片上以比所述第一生長速度更高的第二生長速度生長所述碳化硅外延層，

其中所述原料包含含有碳和硅的液體原料，

其中所述液體原料包含甲基三氯硅烷(MTS)或三氯硅烷(TCS)，

其中在使用所述原料制造中間化合物的過程中，原料分解為包含硅、碳和氯的基團(tuán)，

其中所述基團(tuán)包括CH₃·、SiCl·、SiCl₂·、SiHCl·或SiHCl₂·，

其中在所述晶片上以第二生長速度生長所述碳化硅外延層的步驟中供給到襯托器中的原料的量，比在所述晶片上以第一生長速度生長所述碳化硅外延層的步驟中供給到襯托器中的原料的量更多，

其中在所述晶片上以第一生長速度生長所述碳化硅外延層的過程中，溫度在1570℃～1650℃范圍內(nèi)，

其中在所述晶片上以第二生長速度生長所述碳化硅外延層的過程中，溫度在1500℃～1700℃范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一生長速度為10μm/小時～20μm/小時。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第二生長速度為30μm/小時。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述以第一生長速度生長所述碳化硅外延層中，碳原子數(shù)對硅原子數(shù)的比為0.7～1.5。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述以第一生長速度生長所述碳化硅外延層中，硅原子對氫分子的百分比為0.01％以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中依次進(jìn)行所述以第一生長速度生長所述碳化硅外延層和所述以第二生長速度生長所述碳化硅外延層。

7.一種碳化硅外延晶片，其通過權(quán)利要求1的制造碳化硅外延晶片的方法制得，

所述碳化硅外延晶片包含：

碳化硅晶片，和

所述碳化硅晶片上的碳化硅外延層，

其中在所述碳化硅外延層上形成的表面缺陷為1ea/cm²以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅外延晶片，其中所述表面缺陷包含微管。