[發明專利]圖案形成方法和各自使用它的電子器件制造方法和電子器件

有效

• 申請號: 201380034450.6
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN104508563B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 山中司;井口直也;上羽亮介;山本慶
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: G03F7/40
• 分類號: G03F7/40;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 牛海軍

1.一種圖案形成方法，所述圖案形成方法按下列順序包括：

(a)使用光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(I)在基板上形成第一膜，所述光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(I)包含在含有有機溶劑的顯影液中的溶解度由于酸的作用所致的極性增加而降低的樹脂；

(b)將所述第一膜曝光；

(c)使用含有有機溶劑的顯影液將已曝光的第一膜顯影以形成第一陰圖型圖案；

(e)使用光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(II)在其上形成有所述第一陰圖型圖案的所述基板上形成第二膜，所述光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(II)包含在含有有機溶劑的顯影液中的溶解度由于酸的作用所致的極性增加而降低的樹脂；

(f)將所述第二膜曝光；以及

(g)使用含有有機溶劑的顯影液將已曝光的第二膜顯影以形成第二陰圖型圖案，

其中所述步驟(c)為使用基于顯影液的總量，有機溶劑的用量為大于或等于90質量％且小于或等于100質量％的顯影液將所述已曝光的第一膜顯影以形成第一陰圖型圖案的步驟。

2.根據權利要求1所述的圖案形成方法，所述圖案形成方法還包括在所述步驟(c)和所述步驟(e)之間進行的(d)加熱步驟。

3.根據權利要求2所述的圖案形成方法，其中所述步驟(d)的加熱溫度是150℃以上。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的圖案形成方法，其中通過所述步驟(e)形成的所述第二膜的膜厚度比通過所述步驟(a)形成的所述第一膜的膜厚度薄。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的圖案形成方法，其中在所述光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(I)中包含的所述在含有有機溶劑的顯影液中的溶解度由于酸的作用所致的極性增加而降低的樹脂含有由下列通式(AI)表示的重復單元：

[化學式1]

在所述通式(AI)中；

Xa₁表示氫原子、烷基、氰基或鹵素原子；

T表示單鍵或二價連接基團；

Rx₁至Rx₃各自獨立地表示烷基或環烷基；并且

Rx₁至Rx₃中的兩個可以彼此結合以形成環結構。

6.根據權利要求5所述的圖案形成方法，其中在所述通式(AI)中，Rx₁至Rx₃各自獨立地表示烷基，并且Rx₁至Rx₃中的兩個不彼此結合形成環結構。

7.根據權利要求5所述的圖案形成方法，其中基于在所述光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(I)中包含的所述在含有有機溶劑的顯影液中的溶解度由于酸的作用所致的極性增加而降低的樹脂的重復單元的總含量，所述由通式(AI)表示的重復單元的含量是40摩爾％以上。

8.根據權利要求6所述的圖案形成方法，其中基于在所述光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(I)中包含的所述在含有有機溶劑的顯影液中的溶解度由于酸的作用所致的極性增加而降低的樹脂的重復單元的總含量，所述由通式(AI)表示的重復單元的含量是40摩爾％以上。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的圖案形成方法，其中所述光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(I)和所述光化射線敏感或放射線敏感樹脂組合物(II)是相同的組合物。

10.一種制造電子器件的方法，所述方法包括根據權利要求1至3中任一項所述的圖案形成方法。