[發明專利]分離、至少部分干燥以及檢驗電子元件的設備和方法在審
| 申請號: | 201380034390.8 | 申請日: | 2013-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN104396001A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | J·H·G·赫斯特德 | 申請(專利權)人: | 貝斯荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/268;H01L21/84;H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人: | 尹振啟 |
| 地址: | 荷蘭*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分離 至少 部分 干燥 以及 檢驗 電子元件 設備 方法 | ||
1.一種分離、至少部分干燥和檢驗電子元件的設備,包括:
-用于將較大的整塊電子元件分割成分離的電子元件的分離設備;
-承載分離后電子元件的載體;
-用于產生輻射熱的加熱源;
-將承載分離后電子元件的載體相對于所述加熱源進行移位的移位裝置;以及
-用于檢驗分離后電子元件的目檢裝置;
其中,所述加熱源配置成產生波長在1μm~5μm范圍內的輻射熱。
2.根據權利要求1所述的設備,其特征在于:所述加熱源包括具有螺旋燈絲的加熱元件。
3.根據權利要求1或2所述的設備,其特征在于:所述加熱源包括陶瓷加熱元件。
4.根據前述任一項權利要求所述的設備,其特征在于:所述加熱源包括具有石英燈的加熱元件。
5.根據前述任一項權利要求所述的設備,其特征在于:所述加熱源設有與待干燥的分離后電子元件相對的反射鏡。
6.根據前述任一項要求所述的設備,其特征在于:所述設備設有隔熱材料。
7.根據前述任一項權利要求所述的設備,其特征在于:所述設備設有用于排走待干燥的電子元件周圍的氣體的抽取器。
8.一種用于分離、至少部分干燥和檢驗電子元件的方法,包括處理步驟:
a)將較大的整塊電子元件分割成分離的電子元件;
b)將位于一個平面內且由載體把持的具有附著液體的分離后電子元件移位;
c)使用加熱源向具有附著液體的分離后的電子元件集合供熱;
d)對由加熱源干燥的分離后電子元件進行目檢,其中具有附著液體的分離后電子元件集合由具有波長范圍在1μm~5μm內的輻射熱的加熱源進行輻照。
9.根據權利要求8所述的方法,其特征在于:具有附著液體的分離后電子元件集合的局部輻照采用加熱源進行,局部輻照時間為2~30秒,優選為3~20秒。
10.根據權利要求8或9所述的方法,其特征在于:具有附著液體的分離后電子元件集合的輻照采用一個或多個最大加熱功率為1000W的加熱元件進行。
11.根據權利要求8-10任一項所述的方法,其特征在于:具有附著液體的分離后電子元件集合采用石英燈加熱。
12.根據權利要求8-11任一項所述的方法,其特征在于:如步驟c)處理過程中形成的蒸發液體被抽走。
13.根據權利要求8-12任一項所述的方法,其特征在于:具有附著液體的分離后電子元件集合的局部輻照采用加熱源進行,所述加熱源相對于具有附著液體的分離后電子元件的集合放置,以便所述的集合的一側被加熱,或者可替代地,所述集合的兩側均被加熱。
14.根據權利要求8-13任一項所述的方法,其特征在于:當存在具有附著液體的電子元件集合時,所述加熱源開啟;當最長輻照時間已到達或者具有附著液體的電子元件的集合不存在時,所述加熱源即關閉。
15.根據權利要求8-14所述的方法,其特征在于:具有附著液體的分離后電子元件的至少部分干燥前置一個不同的干燥工序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于貝斯荷蘭有限公司,未經貝斯荷蘭有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380034390.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





