[發明專利]高分子化合物的制造方法及高分子化合物

有效

• 申請號: 201380034210.6
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN104487484B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 土屋征司;前田晉一
• 申請（專利權）人: 三菱化學株式會社
• 主分類號: C08G63/90
• 分類號: C08G63/90;C08G63/91
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 劉香蘭

本發明的高分子化合物的制造方法包括下述工序(a)、(b)。工序(a)：在酸催化劑或堿催化劑的存在下得到高分子化合物的工序。工序(b)：使工序(a)所得到的含有高分子化合物的溶液接觸陰離子交換樹脂和陽離子交換樹脂的混合樹脂的工序。

技術領域

本發明涉及高分子化合物的制造方法及高分子化合物。

本申請以2012年6月26日在日本提出申請的特愿2012-142968號和2012年12月3日在日本提出申請的特愿2012-264381號為基礎主張優先權，在此引用其內容。

背景技術

在半導體元件、液晶元件等的制造工序中，在基板上形成抗蝕劑膜，曝光該抗蝕劑膜，顯影，形成抗蝕劑圖案。

近年來，由于光刻技術的進步，抗蝕劑圖案的微細化在急速進行。作為微細化的手法，有照射光的短波長化。具體地，照射光可從g線(波長：438nm)和i線(波長：365nm)朝著波長300nm以下的DUV(Deep Ultra Violet，深紫外光)短波長化。現在，KrF準分子激光(波長：248nm)光刻技術和ArF準分子激光(波長：193nm)光刻技術正被引入。

此外，關于更短波長的EUV(波長：13.5nm)的光刻技術也在被研究。此外，關于電子束光刻技術、在水等液體中進行曝光的浸液光刻技術也在被努力研究。

在光刻工序中，除上述的抗蝕劑膜之外，正在使用防反射膜、間隙填充膜、外涂層膜等種種的薄膜。這些膜的形成中一般使用含有高分子化合物的膜。

此處，在高密度集成電路、電腦芯片和電腦硬盤等的制造中產生金屬污染時，常常導致缺陷的增加和產量損失，成為引起性能低下的主要原因。

例如，等離子體工藝中，在用于光刻工序的高分子化合物中存在鈉和鐵等金屬雜質(例如金屬離子、金屬粉體、過渡金屬絡合物等)時，等離子體剝離時可能會產生金屬污染。

由于光刻技術等精細加工技術的發展，電子設備變得更為精巧，這些各種問題，變得難以完全解決。常常觀察到由于非常低含量的金屬雜質的存在，半導體設備的性能和穩定性降低。其主要原因，可確認特別是在于用于光刻工序的高分子化合物中含有的鈉等輕金屬、或鐵等重金屬。進一步地，也很清楚高分子化合物中的不足100ppb的金屬雜質的濃度，對這類電子設備的性能和穩定性帶來惡劣影響。

以往，高分子化合物中的金屬雜質濃度是通過選擇滿足嚴格的雜質濃度規格的原料、或進行徹底的流程管理以使高分子化合物的制造階段中不混入金屬雜質來管理的。但是，伴隨著金屬雜質濃度的嚴格規范化，需要通過徹底的管理金屬雜質的混入的方法進行高分子化合物的制造。

作為降低高分子化合物中的金屬雜質的方法，被提出的有使高分子化合物溶液通過不含強酸性離子交換基、且含有產生ZETA電位(ζ電位)的電荷控制劑的過濾器的方法(專利文獻1)。

此外，提出有將使高分子化合物溶液與陽離子交換樹脂接觸的工序(T1)、使高分子化合物溶液與陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂的混合樹脂接觸的工序(T2)、使高分子化合物溶液通過含有帶正ZETA電位的物質的過濾器的工序(T3)組合實施的方法(專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特表2010-189563號公報

專利文獻1：日本專利特開2010-209338號公報

發明內容

發明要解決的課題

在酸催化劑或堿催化劑的存在下將單體聚合得到高分子化合物時，在得到的高分子化合物中，在金屬雜質之外，酸催化劑或堿催化劑會變為雜質殘存。該酸催化劑或堿催化劑雜質也會與金屬雜質同樣地影響半導體設備的性能和穩定性。