[發(fā)明專利]用于電鍍的CIGS光伏器件的后電極結(jié)構(gòu)及制備其的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380033692.3 | 申請日： | 2013-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN104396022B | 公開（公告）日： | 2017-02-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 阿列克謝·克拉斯諾夫;威廉·鄧·波爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 葛迪恩實業(yè)公司 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人： | 劉培培,黎艷 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 電鍍 cigs 器件 電極 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
1.一種制備光伏器件的方法，所述方法包括：
將含有鉬的導(dǎo)電后接觸層形成在后基片上；
在所述后基片和所述導(dǎo)電后接觸層上濺射沉積界面種子層，所述界面種子層包含銅、銦、和鎵；
在所述后基片上形成半導(dǎo)體吸收薄膜，位于所述界面種子層上，其中，所述形成半導(dǎo)體吸收薄膜的步驟包括：濺射含有或主要由銅構(gòu)成的層，并隨后在所述含有或主要由銅構(gòu)成的層上電鍍含有銦和鎵的薄膜，所述含有銦和鎵的薄膜包括一個或多個層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：在所述半導(dǎo)體吸收薄膜上形成前電極。
3.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述含有或主要由銅構(gòu)成的層，其厚度為20-100nm。
4.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述含有或主要由銅構(gòu)成的層，其厚度為40-80nm。
5.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述電鍍含有銦和鎵的薄膜的步驟包括：在所述含有或主要由銅構(gòu)成的層上，電鍍含有或主要由銦構(gòu)成的層并隨后電鍍含有或主要由鎵構(gòu)成的層。
6.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述電鍍含有銦和鎵的薄膜的步驟包括：在所述含有或主要由銅構(gòu)成的層上，電鍍含有CIGS的整個化合物。
7.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述電鍍含有銦和鎵的薄膜的步驟包括：電鍍銅銦、銅鎵、和銦鎵合金并使所述合金在所述含有或主要由銅構(gòu)成的層上起反應(yīng)。
8.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述形成半導(dǎo)體吸收薄膜的步驟包括：在所述電鍍之后，使用450-600℃的溫度來加熱所述電鍍的層。
9.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述界面種子層，其包括一個或多個層，厚度為20-100nm。
10.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述界面種子層，其包括一個或多個層，厚度為40-80nm。
11.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述后基片包括玻璃。
12.如上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中，所述界面種子層包括：多個含有銅、銦、鎵的含金屬和/或金屬層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述多個含有銅、銦、鎵的含金屬和/或金屬層的第一層，其鎵含量大于所述多個含有銅、銦、鎵的含金屬和/或金屬層的第二層，其中，與所述多個含有銅、銦、鎵的含金屬和/或金屬層的所述第一層相比，所述多個含有銅、銦、鎵的含金屬和/或金屬層的所述第二層更遠(yuǎn)離所述含有鉬的導(dǎo)電后接觸層。
14.如權(quán)利要求1-12所述的方法，其中，所述界面種子層包括：含有銅、銦、鎵的第一和第二金屬和/或含金屬層，其中，與所述第二層相比，所述第一層更接近所述含有鉬的導(dǎo)電后接觸層，且其中，所述第一層的鎵含量大于所述第二層的鎵含量。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述界面種子層中[Cu]>([In]+[Ga])，[Cu]是銅的濃度，[In]是銦的濃度，且[Ga]是鎵的濃度。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，[Ga]/([In]+[Ga])的濃度比率，從最接近所述含有鉬的導(dǎo)電層的界面的所述界面種子層的所述第一層中的0.5，減少至所述界面種子層與所述光伏器件的CIGS半導(dǎo)體吸收層之間的界面中的0.3。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，[Ga]/([In]+[Ga])的濃度比率，從最接近所述含有鉬的導(dǎo)電層的界面的所述界面種子層的所述第一層中的0.4，逐步減少至所述界面種子層與所述光伏器件的CIGS半導(dǎo)體吸收層之間的界面中的0.3。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，貫穿所述界面種子層的[Ga]/([In]+[Ga])的濃度比率為0.3。
19.如權(quán)利要求1-11所述的方法，其中，所述界面種子層包括：多個含有銅、銦、鎵的銅基層，其中，所述多個銅基層中的鎵含量，以遠(yuǎn)離所述含有鉬的導(dǎo)電后接觸層的方向逐步減少。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
