[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380033466.5
• 申請日: 2013-06-19
• 公開（公告）號: CN104412372B
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 脅山悟;岡本正喜;大岡豐;莊子禮二郎;財前義史;長畑和典;羽根田雅希
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該半導(dǎo)體裝置包括貫通第一半導(dǎo)體基體的貫通電極，該方法包括：

形成絕緣層的步驟，該絕緣層僅位于第一半導(dǎo)體基體的第一表面上、圍繞形成有貫通電極的位置的周界；

將第二半導(dǎo)體基體結(jié)合至該第一半導(dǎo)體基體的第一表面?zhèn)鹊牟襟E；

形成開口部分的步驟，該開口部分在由該絕緣層圍繞的范圍內(nèi)、從該第一半導(dǎo)體基體的第二表面?zhèn)蓉炌ㄖ猎摰诙雽?dǎo)體基體上的配線層；以及

在該開口部分內(nèi)形成貫通電極的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括：

在由該絕緣層圍繞的范圍內(nèi)刻蝕該第一半導(dǎo)體基體、然后在形成該開口部分的步驟中刻蝕殘留在該絕緣層的內(nèi)壁表面中的該第一半導(dǎo)體基體的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

在該第一半導(dǎo)體基體的第一表面上的配線層中形成第一導(dǎo)電層的步驟，

其中，在形成該開口部分的步驟中，開口部分形成在該第一導(dǎo)電層中，以使得該第一半導(dǎo)體基體的第二表面?zhèn)壬系拈_口大并且該第一半導(dǎo)體基體的第一表面?zhèn)壬系拈_口小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

在由該絕緣層圍繞的范圍內(nèi)選擇性地刻蝕該第一半導(dǎo)體基體的步驟；以及

刻蝕該絕緣層的部分內(nèi)表面?zhèn)鹊牟襟E。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

在該第一半導(dǎo)體基體的第一表面上的配線層中形成第一導(dǎo)電層并且在該絕緣層和該第一導(dǎo)電層之間形成電極保護層的步驟，

其中，形成該開口部分的步驟包括在由該絕緣層圍繞的范圍內(nèi)刻蝕該第一半導(dǎo)體基體的步驟和刻蝕從該電極保護層至該第二半導(dǎo)體基體上的配線層的部分的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中，在形成該電極保護層的步驟中，該電極保護層形成為使該電極保護層的開口側(cè)上的邊緣部分在開口的中心方向上突出得比該絕緣層的開口側(cè)上的邊緣部分更多。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中，該電極保護層和該第一導(dǎo)電層與該第一半導(dǎo)體基體的第一表面上的配線層一同形成。

8.一種由根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的半導(dǎo)體裝置，包括：

第一半導(dǎo)體基體；

第二半導(dǎo)體基體，結(jié)合在該第一半導(dǎo)體基體的第一表面?zhèn)壬希?/p>

貫通電極，形成為從該第一半導(dǎo)體基體的第二表面?zhèn)蓉炌ㄖ猎摰诙雽?dǎo)體基體上的配線層；以及

絕緣層，僅圍繞該第一半導(dǎo)體基體內(nèi)形成的該貫通電極的周界。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，包括：

第一導(dǎo)電層，在該第一半導(dǎo)體基體的第一表面上的配線層中，

其中，該貫通電極的側(cè)表面連接至該第一導(dǎo)電層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該貫通電極的底部連接至該第二半導(dǎo)體基體上的配線層中設(shè)置的第二導(dǎo)電層，并且該第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層通過該貫通電極彼此連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一導(dǎo)電層包括一開口，使得第一導(dǎo)電層連接至該貫通電極的側(cè)表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一導(dǎo)電層的開口的寬度小于該貫通電極的寬度。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該絕緣層的內(nèi)側(cè)的寬度大于該貫通電極的寬度。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一導(dǎo)電層的開口形成為使該第一半導(dǎo)體基體的第二表面?zhèn)壬系拈_口大并且該第一半導(dǎo)體基體的第一表面?zhèn)壬系拈_口小。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一導(dǎo)電層的開口形成為具有傾斜表面的形狀。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該第一導(dǎo)電層的開口部分的內(nèi)表面的傾斜角等于或小于40°。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，包括：

電極保護層，設(shè)置在該絕緣層和該第一導(dǎo)電層之間，用以保護該第一導(dǎo)電層。