[發(fā)明專利]氧化鋅薄膜的制造方法、薄膜晶體管的制造方法、氧化鋅薄膜、薄膜晶體管和透明氧化物配線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380033284.8 | 申請日： | 2013-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN104428453B | 公開（公告）日： | 2017-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中積誠;西康孝 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社尼康 |
| 主分類號： | C25D9/04 | 分類號： | C25D9/04;C01G9/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127 | 代理人： | 龐東成,張志楠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化鋅 薄膜 制造 方法 薄膜晶體管 透明 氧化物 | ||
1.一種氧化鋅薄膜的制造方法，其特征在于，將在至少一部分具有導(dǎo)電性部位的基材浸漬在含有鋅離子、氫氧化物離子和鋅配位離子的溶液中，對上述導(dǎo)電性部位進(jìn)行交流電流通電，由此在上述基材上的包含上述導(dǎo)電性部位的區(qū)域形成氧化鋅薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的氧化鋅薄膜的制造方法，其特征在于，上述基材具有隔著絕緣間隙相向配置的至少一對導(dǎo)電性部位，對上述一對導(dǎo)電性部位中的一個(gè)導(dǎo)電性部位進(jìn)行上述交流電流通電，由此形成氧化鋅薄膜以使上述一對導(dǎo)電性部位間搭橋。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氧化鋅薄膜的制造方法，其中，上述溶液的pH為8～12。
4.如權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的氧化鋅薄膜的制造方法，其中，上述溶液的溫度為150℃以下。
5.如權(quán)利要求1～4的任一項(xiàng)所述的氧化鋅薄膜的制造方法，其中，上述交流電流的頻率為0.1Hz～10Hz。
6.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，通過權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)所述的氧化鋅薄膜的制造方法形成氧化鋅薄膜，以使在基板上形成的源電極與漏電極之間搭橋。
7.一種氧化鋅薄膜，其特征在于，其是通過權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)所述的氧化鋅薄膜的制造方法制造的。
8.一種薄膜晶體管，其特征在于，通過權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法制造的氧化鋅薄膜形成通道層。
9.一種薄膜晶體管，其特征在于，通過權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法制造的氧化鋅薄膜形成柵極絕緣層。
10.一種透明氧化物配線，其特征在于，該透明氧化物配線由通過權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)所述的氧化鋅薄膜的制造方法制造的氧化鋅薄膜形成。
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