[發明專利]電容器元件有效
| 申請號: | 201380033048.6 | 申請日: | 2013-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN104380406B | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 內藤一美;矢部正二 | 申請(專利權)人: | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號: | H01G9/04 | 分類號: | H01G9/04;H01G9/00;H01G9/052 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 元件 | ||
技術領域
本發明涉及電容器元件。更詳細而言,本發明涉及高頻區的容量高且泄漏電流少的、使用鎢制陽極體的電容器元件。
背景技術
作為電容器元件,已知有通過將由鉭粉末的燒結體、鈮粉末的燒結體形成的陽極體在磷酸等電解質水溶液中進行電解氧化,使該燒結體表面層化學轉化為由金屬氧化物形成的介質而獲得的元件。另外,還提出了各種鉭制電容器元件的改良技術(專利文獻2)。
而且,已知有鎢作為閥作用金屬的一種。在與由金屬鉭粉末的燒結體、鈮粉末的燒結體形成的陽極體中的電解氧化條件相同的條件下對由鎢粉的燒結體形成的陽極體進行電解氧化時,介質層的形成過程中,鎢氧化物結晶化,生成如圖2所示的具有平面的塊13。該介質層未形成具有適當厚度的、充分細致的覆膜,在電壓施加時會有電流可能發生流失的多種缺陷。因此,現有的鎢制電容器的泄漏電流多。另外,如圖2所示,細孔12狹窄且難以在細孔內至深處為止均勻地形成半導電體層,因此會有容量變小的情況。結果,獲得的鎢制電容器在高頻區的容量相對于低頻區的容量非常低。另外,為了減少泄漏電流,提出了使用鎢與其它金屬的合金(專利文獻1),但減少泄漏電流的效果微弱。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2004-349658號公報
專利文獻2:日本特開2000-12396號公報
發明內容
發明要解決的問題
本發明的目的在于提供高頻區的容量下降少的、使用了鎢制陽極體的電容器元件。
用于解決問題的方案
本發明人等為了實現上述目的進行了深入研究。其結果,完成了包含以下實施方式的技術方案。
〔1〕一種電容器元件,其至少具有:由鎢燒結體形成的陽極體、對陽極體表面進行化學轉化而成的具有平滑表面的介質層、和在介質層上層疊而成的半導電體層。
〔2〕一種電容器元件,其至少具有:由鎢燒結體形成的陽極體、對陽極體表面層進行化學轉化而成的介質層、和在介質層上層疊而成的半導電體層,且10kHz容量相對于120Hz容量的比率為55%以上。
〔3〕一種〔1〕或〔2〕所述的電容器元件的制造方法,其包括:在含有0.05~12質量%由含氧化合物形成的氧化劑的、液溫62℃以下的水溶液中,使鎢粉的燒結體表面化學轉化為介質層。
〔4〕根據〔3〕所述的制造方法,其中,氧化劑為選自由錳(VII)化合物、鉻(VI)化合物、含鹵酸化合物、過硫酸化合物及有機過氧化物組成的組中的至少一種。
〔5〕根據〔3〕或〔4〕所述的制造方法,其中,還包括在進行化學轉化后,在低于水的沸點的溫度下去除附著于表面的水,接著在水的沸點以上的溫度下使其干燥。
〔6〕根據〔3〕或〔4〕所述的制造方法,其中,還包括在進行化學轉化后,在低于水的沸點的溫度下去除浸入燒結體的細孔內的水,接著在水的沸點以上的溫度下使其干燥。
〔7〕根據〔5〕或〔6〕所述的制造方法,其中,水的去除通過使其接觸與水具有混溶性(miscibility)的溶劑來進行。
〔8〕根據〔7〕所述的制造方法,其中,與水具有混溶性的溶劑為選自醋酸、丙酮、乙腈、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、二噁烷、丙醇、乙醇、甲醇及四氫呋喃的至少一種。
〔9〕根據〔5〕~〔8〕中的任一項所述的制造方法,其中,干燥首先在105℃以上且低于160℃的溫度下進行,接著在160℃以上且230℃以下的溫度下進行。
〔10〕一種固體電解電容器,其具有〔1〕或〔2〕所述的電容器元件。
發明的效果
根據本發明所述的制造方法,能夠制造具有表面平滑的由鎢氧化物形成的介質層的固體電解電容器元件。本發明所述的電容器元件或電容器在高頻區的容量高,且泄漏電流少。
起到這種效果的原因還不確定,但本發明中,可能是由于由鎢氧化物形成的介質層的表面平滑,因此半導電體層的原料即導電性高分子單體能夠浸入至陽極體的細孔內深處并用均質的導電性高分子掩埋,作為其結果,能夠實現高頻區的高容量及較少的泄漏電流。
將金屬鉭粉、鈮粉或鋁粉的燒結體在含有氧化劑的化學轉化液中進行化學轉化處理(專利文獻2)與在含有磷酸等電解質的化學轉化液中進行化學轉化處理的情況相比,也不會產生高頻區的容量高之類的現象,因此本發明中的效果是只有使用鎢時才能產生的特異效果。
附圖說明
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