[發明專利]投射光刻的投射曝光設備

在審

• 申請號: 201380032972.2
• 申請日: 2013-05-17
• 公開（公告）號: CN104380205A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: A.埃普爾
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳金林

1.投射光刻的投射曝光設備(1)，

-具有用于產生照明光(4)的光源(3)，

-具有用于將所述照明光(4)引導至物場(14)的照明光學單元(5)，

-具有帶有至少一個彎曲反射鏡(M1，M2)的折反射式投射光學單元(11)，用于將布置在所述物場(14)中的物(7)成像至布置在像場(14a)中的基板(13)上，

-具有用于保持所述物(7)的物保持器(7a)，

-具有物位移驅動器(7b)，用于在所述物(7)的投射曝光期間位移所述物(7)通過所述物場(14)，

-具有用于保持所述基板(13)的基板保持器(13a)，

-具有基板位移驅動器(13b)，用于在所述投射曝光期間位移所述基板(13)通過所述像場(14a)，

-具有補償裝置(43，44)，用于補償所述投射光學單元(11)的像差，所述像差由來自包含以下的組的場中的至少一個的曲率所導致：

--物場(14)，以及

--像場(14a)，

-其中，所述補償裝置(43，44)包含波長操縱裝置(44)，用于在所述投射曝光期間操縱所述照明光(4)的波長。

2.根據權利要求1所述的投射曝光設備，其特征在于，所述波長操縱裝置(44)配置為使得所述波長能夠在小于0.1nm的區域中調諧。

3.根據權利要求1或2所述的投射曝光設備，其特征在于，所述波長操縱裝置(44)配置為使得波長操縱發生在小于1s的時段內。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的投射曝光設備，其特征在于，所述波長操縱裝置(44)為所述光源(3)的部分。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的投射曝光設備，其特征在于，所述波長操縱裝置(44)包含波長可調諧激光諧振腔(48，49)。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的投射曝光設備，其特征在于，所述波長操縱裝置(44)包含與所述光源(3)分離布置的至少一個單元(53，54)。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的投射曝光設備，其特征在于，所述波長操縱裝置包含至少一個位移驅動器(52；54)，用于在所述投射曝光期間位移用于所述使用光(4)的波長調諧單元(51；53)。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的投射曝光設備，其特征在于，所述補償裝置(43，44)包含至少一個位移操縱器(7b，24，25，26，30，41，42，13b)，用于在所述投射曝光期間位移來自以下組的至少一個光學組件：

-所述物(7)，

-所述基板(13)，

-所述投射光學單元(11)的至少一個光學組件(21，22，23，28，31，36)。

9.根據權利要求8所述的投射曝光設備，其特征在于，所述位移操縱器(7b，24，25，26，30，41，42，13b)配置為僅沿所述投射光學單元(11)的光軸(2)位移相應組件(7，13，21，22，23，28，31，36)。

10.根據權利要求8或9所述的投射曝光設備，其特征在于，僅所述投射光學單元(11)的折射光學組件(21，22，23，28，31，36)具有位移操縱器(24，25，26，30，41，42)。

11.一種折反射式投射光學單元(11)，具有至少一個彎曲反射鏡(M1，M2)，用于將布置在物場(14)中的物(7)成像至布置在像場(14a)中的基板(13)上，其適合用于根據權利要求1至10中任一項的投射曝光設備中。

12.用于制造結構化組件的方法，包含以下方法步驟：

-提供掩模母版(7)和晶片(13)，

-借助于根據權利要求1至10中任一項的投射曝光設備，將所述掩模母版(7)上的結構投射至所述晶片(13)的光敏層上，

-借助于所述物位移驅動器(7b)和所述基板位移驅動器(13b)的相應致動，在所述投射曝光期間同步掃描所述掩模母版(7)和所述晶片(13)，

-借助于所述補償裝置(43，44)，在所述掃描期間再調節所述投射曝光設備(1)，

-在所述晶片(13)上產生微結構和/或納米結構。

13.根據權利要求12的方法制造的結構化組件。