[發明專利]反射型調光元件

有效

• 申請號: 201380032712.5
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN104412154B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 山田保誠;吉村和記;田嶌一樹
• 申請（專利權）人: 獨立行政法人產業技術總合研究所
• 主分類號: G02F1/19
• 分類號: G02F1/19;E06B9/24
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 胡燁

1.一種反射型調光元件，其特征在于，具有：

調光層，其狀態在氫化所導致的透明狀態和脫氫化所導致的反射狀態之間可逆地變化；

催化層，其對所述調光層的所述氫化和所述脫氫化進行促進；及

氧化抑制部，其配置在所述調光層和所述催化層之間，對透過所述催化層的氧氣所導致的所述調光層的氧化進行抑制；

所述氧化抑制部具有選自低氧氣透過性氧化抑制層、透光率可變氧化抑制層、及混合型氧化抑制層中的至少1種氧化抑制層，

所述低氧氣透過性氧化抑制層具有氫氣透過性，通過對氧氣的透過進行抑制，對所述調光層的氧化進行抑制，所述低氧氣透過性氧化抑制層為薄膜，所述薄膜包含選自鎢、鉭、及鉿的至少1種金屬或包含所述金屬的合金、以及/或者、所述金屬或所述合金的氧化物，

所述透光率可變氧化抑制層具有氫氣透過性，通過與氧氣進行反應，對所述調光層的氧化進行抑制，并且氫化可導致透光率變化，

所述混合型氧化抑制層具有氫氣透過性，并具有通過對氧氣的透過進行抑制對所述調光層的氧化進行抑制的部分、及通過與氧氣進行反應對所述調光層的氧化進行抑制并且氫化可導致透光率變化的部分。

2.如權利要求1所述的反射型調光元件，其中：

所述氧化抑制部具有所述低氧氣透過性氧化抑制層和所述透光率可變氧化抑制層，

所述氧化抑制部在比所述低氧氣透過性氧化抑制層還往所述調光層的那側具有所述透光率可變氧化抑制層。

3.如權利要求1所述的反射型調光元件，其中：

所述透光率可變氧化抑制層為薄膜，

所述薄膜包含鈧或鎂·鈧合金、以及/或者、所述鈧或所述鎂·鈧合金的氫化物。

4.如權利要求3所述的反射型調光元件，其中：

所述鎂·鈧合金的組成成分為Mg1－xScx，其中，0.4≦x＜1。

5.如權利要求1所述的反射型調光元件，其中：

所述氧化抑制部所具有的所述氧化抑制層的1層的厚度為10nm以下。

6.如權利要求1所述的反射型調光元件，其中：

具有反射防止層，其設置在以所述催化層為基準的所述氧化抑制部的相反側。

7.如權利要求6所述的反射型調光元件，其中：

所述反射防止層的折射率為1.3以上、3.4以下。

8.如權利要求6所述的反射型調光元件，其中：

所述反射防止層的膜厚為25nm以上、125nm以下。

9.如權利要求6所述的反射型調光元件，其中：

所述反射防止層包含金屬氧化物以及/或者聚合物。

10.如權利要求9所述的反射型調光元件，其中：

所述金屬氧化物包含氧化鈰、氧化鉿、五氧化鈮、五氧化鉭、二氧化鈦、氧化鎢、氧化釔、氧化亞鉛、及氧化鋯中的至少1種。

11.如權利要求9所述的反射型調光元件，其中：

所述聚合物包含氟樹脂。