[發明專利]靜電耗散可激光雕刻膜

無效

• 申請號: 201380032694.0
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN104395092A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·K·哈斯;保羅·F·耶格爾;威廉·M·拉曼納;格雷戈里·J·馬爾沙韋克;克里斯塔爾·K·亨特
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: B41M5/26
• 分類號: B41M5/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業平;金小芳

1.一種可激光雕刻膜，包括：

包含聚碳酸酯的第一層；

包含聚碳酸酯的第二層；

混合在所述第一聚碳酸酯層內的防靜電組合物，其中所述防靜電組合物包含0.1重量％-10重量％的至少一種由氮或磷陽離子和弱配位氟代有機陰離子組成的離子鹽，所述陰離子的共軛酸為超酸；

混合在所述第二聚碳酸酯層內的激光雕刻添加劑；并且

其中所述可激光雕刻膜的靜電衰減時間小于30秒，并且其中所述可激光雕刻膜能夠被激光雕刻成具有大于1的黑色密度。

2.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜能夠在低于190℃下粘合至另一聚碳酸酯層。

3.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜的靜電衰減時間小于5秒。

4.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中可激光雕刻添加劑包含金屬氧化物。

5.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述膜為透明的。

6.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜具有30-250μm的厚度。

7.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述離子鹽包括氮陽離子，其選自無環氮陽離子、飽和環狀氮陽離子和芳族氮陽離子。

8.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有機陰離子是全氟化的。

9.一種身份識別文件，包括：

根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述膜被激光雕刻以在所述第二層聚碳酸酯層中包括標記。

10.根據權利要求9所述的身份識別文件，

聚合物膜，

安全裝置；

其中所述可激光雕刻膜、安全裝置和所述聚合物膜粘合在一起以形成所述身份識別文件。

11.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述離子鹽包括至少一種氮陽離子。

12.根據權利要求11所述的可激光雕刻膜，其中所述離子鹽包括至少一種無環氮陽離子或芳族氮陽離子。

13.根據權利要求12所述的可激光雕刻膜，其中所述無環氮陽離子為季銨陽離子。

14.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有機陰離子是全氟化的，并且其中所述陰離子選自全氟烷基磺酸酯、雙(全氟烷基磺酰基)酰亞胺或三(全氟烷基磺酰基)甲基化物。

15.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有機陰離子是全氟化的，并且其中所述陰離子選自雙(全氟烷基磺酰基)酰亞胺或三(全氟烷基磺酰基)甲基化物。

16.根據權利要求1所述的可激光雕刻膜，其中所述弱配位氟代有機陰離子是全氟化的，并且其中所述陰離子為雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺。

17.一種可激光雕刻膜，包括：

第一聚碳酸酯層；

第二聚碳酸酯層；

混合在所述第一聚碳酸酯層內的防靜電組合物，其中所述防靜電組合物包含0.1重量％-10重量％的至少一種由氮或磷陽離子和弱配位氟代有機陰離子組成的離子鹽，所述陰離子的共軛酸為超酸；

混合在所述第二聚碳酸酯層內的激光雕刻添加劑；并且

其中所述可激光雕刻膜的靜電衰減時間小于30秒，并且其中所述可激光雕刻膜能夠在低于190℃下粘合至另一聚碳酸酯層。

18.根據權利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜能夠被激光雕刻成具有大于1的黑色密度。

19.根據權利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜的靜電衰減時間小于5秒。

20.根據權利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻添加劑包含金屬氧化物。

21.根據權利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述膜為透明的。

22.根據權利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述可激光雕刻膜具有30-250μm的厚度。

23.根據權利要求17所述的可激光雕刻膜，其中所述離子鹽包括氮陽離子，其選自無環氮陽離子、飽和環狀氮陽離子和芳族氮陽離子。