[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380032605.2
• 申請日: 2013-06-11
• 公開（公告）號: CN104396019B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 內田誠一;宮本忠芳;小川康行;高丸泰;伊東一篤;松尾拓哉;森重恭
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體裝置，其具有基板和在所述基板上形成的薄膜晶體管和第一透明電極，該半導體裝置的特征在于：

所述薄膜晶體管具有：

在所述基板上形成的柵極電極；

在所述柵極電極上形成的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成的氧化物半導體層；和

與所述氧化物半導體層電連接的源極電極和漏極電極，

所述半導體裝置還具有：

在所述基板上形成的、與所述柵極電極由相同的導電膜形成的柵極連接層或者與所述第一透明電極由相同的導電膜形成的透明連接層，

在所述第一絕緣層上形成的包含至少1個導體區(qū)域的氧化物層；和

在所述氧化物層上形成的、與所述源極電極由相同的導電膜形成的源極連接層，

所述源極連接層經(jīng)由所述至少1個導體區(qū)域與所述柵極連接層或所述透明連接層電連接。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述導體區(qū)域以比所述氧化物半導體層高的濃度具有雜質。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：

還具有以隔著所述第一絕緣層與所述第一透明電極的一部分重疊的方式形成的第二透明電極，

所述氧化物半導體層、所述氧化物層和所述第二透明電極由相同的氧化物膜形成。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

所述氧化物膜包含In、Ga和Zn。

5.如權利要求3或4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述漏極電極形成在所述第二透明電極上，

所述第二透明電極與所述漏極電極直接接觸。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

還具有在所述柵極電極與所述基板之間形成的第二絕緣層，

所述第二絕緣層形成在所述第一透明電極上。

7.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

還具有在所述柵極電極上形成的第二絕緣層，

所述第一透明電極形成在所述第二絕緣層上。

8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含：

工序(a)，準備基板；

工序(b)，在所述基板上由相同的第一導電膜形成柵極電極和柵極連接層，由相同的透明導電膜形成第一透明電極和透明連接層；

工序(c)，在所述柵極電極和所述第一透明電極上形成第一絕緣層；

工序(d)，在所述第一絕緣層上形成氧化物半導體膜；

工序(e)，在所述氧化物半導體膜上形成第二導電膜，由所述氧化物半導體膜形成相互分離的第一氧化物半導體膜和第二氧化物半導體膜，并且由所述第二導電膜形成源極電極、漏極電極和源極連接層；和

工序(f)，通過進行使所述第二氧化物半導體膜的一部分低電阻化的低電阻化處理，形成包含導體區(qū)域的氧化物層，并且形成由所述第一氧化物半導體膜中的沒有通過所述低電阻化處理被低電阻化的部分構成的氧化物半導體層，所述源極連接層經(jīng)由所述導體區(qū)域與所述柵極連接層或所述透明連接層電連接。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述工序(f)包含工序(f1)，通過對所述第一氧化物半導體膜的一部分進行所述低電阻化處理，形成第二透明電極，所述第二透明電極的至少一部分隔著第一絕緣層與所述第一透明電極重疊。

10.如權利要求8或9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述工序(f)包含對所述第一氧化物半導體膜和第二氧化物半導體膜注入雜質的工序。

11.如權利要求8至10中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述工序(b)包含：在所述基板上形成所述第一透明電極，在所述第一透明電極上形成第二絕緣層的工序；和在所述第二絕緣層上形成所述柵極電極的工序。

12.如權利要求8至10中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述工序(b)包含：在所述基板上形成所述柵極電極，在所述柵極電極上形成第二絕緣層的工序；和在所述第二絕緣層上形成所述第一透明電極的工序。