[發(fā)明專利]用于對紋理化單晶硅晶片上的角錐進行光學測量的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380032520.4
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN104395735B
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 如弟格·庫比則克
• 申請（專利權）人: 歐德富有限公司
• 主分類號: G01N21/47
• 分類號: G01N21/47;G01B11/30
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 陶敏;臧建明

1.一種用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，使用至少一個光源（4）和至少一個光接收器（5、8），其特征在于，所述角錐（2）的邊緣中的一個直接指向所述光源（4），所述光源（4）的光（3）垂直于這四個角錐邊緣中的一個，且出于確定所述角錐（2）的幾何特性的目的，借助于由在所述角錐（2）處的衍射產生的衍射圖收集和評估在所述角錐（2）處衍射的光（7），所述角錐（2）的直接指向所述光源（4）的邊緣及與其相對的另一個邊緣落在參考平面上，所述至少一個光源（4）的光軸和/或所述至少一個光接收器（5、8）的光軸相對于所述參考平面角向地偏離至多10°。

2.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，通過所述光源（4）發(fā)出的光的測量點照明晶片（1）的表面，光接收器（8）收集在所述表面處向前散射的光（9），并且所述表面通過角錐（2）的覆蓋程度根據(jù)所檢測到的光的量確定。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，通過所述光源（4）發(fā)出的所述光的測量點照明所述角錐（2）的邊緣中的一個，并且通過所述光接收器（5）角向解析地收集在所述邊緣處向后衍射的所述光（7）。

4.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，所述至少一個光源（4）的光軸和所述至少一個光接收器（5、8）的光軸與所述晶片的表面的表面法線位于一個平面中。

5.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，所述至少一個光源的光軸和/或所述至少一個光接收器（5、8）的光軸基本上位于所述參考平面中。

6.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，所述至少一個光源（4）的光軸和/或所述至少一個光接收器（5、8）的光軸與所述晶片的表面之間的角度不小于在所述角錐的邊緣與所述晶片的表面之間的角度。

7.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，所述晶片（1）的表面由所述至少一個光源（4）和所述至少一個光接收器（5、8）越過，并且在整個所述晶片的表面上發(fā)生光收集過程。

8.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，使用至少一個窄帶光源（4）。

9.根據(jù)權利要求8所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，至少使用激光、發(fā)光二極管或超發(fā)光二極管。

10.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，使用寬帶光源（4）。

11.根據(jù)權利要求10所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，所述寬帶光源為鹵素光源，所述鹵素光源具有窄帶光學帶通濾波器或具有頻譜光分離器。

12.根據(jù)權利要求11所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，所述頻譜光分離器為光譜儀。

13.根據(jù)權利要求1所述的用于對表面紋理化的單晶硅晶片上的角錐（2）進行光學測量的方法，其特征在于，數(shù)碼相機被用作所述光接收器（5、8）。