[發明專利]多晶硅的晶體取向度評價方法、多晶硅棒的選擇方法、多晶硅棒、多晶硅塊以及單晶硅的制造方法

有效

• 申請號: 201380032180.5
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN104395740A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 宮尾秀一;岡田淳一;禰津茂義
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G01N23/20
• 分類號: G01N23/20;C01B33/02;C01B33/035
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊海榮;穆德駿

1.一種多晶硅的晶體取向度評價方法，利用X射線衍射法對多晶硅的晶體取向度進行評價，其特征在于，

將所述多晶硅制成板狀試樣，將該板狀試樣配置于對來自密勒指數面<hkl>的布拉格反射進行檢測的位置，以該板狀試樣的中心作為旋轉中心使其以旋轉角度φ進行面內旋轉以使得由狹縫確定的X射線照射區域對所述板狀試樣的主面上進行φ掃描，求出表示來自所述密勒指數面<hkl>的布拉格反射強度對于所述板狀試樣的旋轉角度(φ)的依賴性的圖表，由該圖表求出基線，將該基線的衍射強度值用作晶體取向度的評價指標。

2.如權利要求1所述的多晶硅的晶體取向度評價方法，其中，所述密勒指數面<hkl>為<111>和<220>中的至少一方。

3.一種多晶硅棒的選擇方法，利用X射線衍射法對用作單晶硅制造用原料的多晶硅棒進行選擇，其特征在于，

所述多晶硅棒是通過基于化學氣相法的析出而生長成的，選取以與該多晶硅棒的徑向垂直的截面作為主面的兩片以上板狀試樣，將該板狀試樣配置于對來自密勒指數面<hkl>的布拉格反射進行檢測的位置，以該板狀試樣的中心作為旋轉中心使其以旋轉角度φ進行面內旋轉以使得由狹縫確定的X射線照射區域對所述板狀試樣的主面上進行φ掃描，求出表示來自所述密勒指數面<hkl>的布拉格反射強度對于所述板狀試樣的旋轉角度(φ)的依賴性的圖表，由該圖表求出基線，以分別從所述兩片以上板狀試樣得到的所述基線的衍射強度值的比較結果作為判定基準來判斷是否適合作為單晶硅制造用原料。

4.如權利要求3所述的多晶硅棒的選擇方法，其中，所述密勒指數面<hkl>為<111>和<220>中的至少一方。

5.如權利要求4所述的多晶硅棒的選擇方法，其中，所述密勒指數面<hkl>為<111>，對于所述兩片以上板狀試樣分別求出進行所述φ掃描所得到的圖表的所述基線的衍射強度值，用該多個基線衍射強度值中的最大值除以最小值，在所得的值為1.5以下的情況下選擇作為單晶硅制造用原料。

6.如權利要求4所述的多晶硅棒的選擇方法，其中，所述密勒指數面<hkl>為<220>，對于所述兩片以上板狀試樣分別求出進行所述φ掃描所得到的圖表的所述基線的衍射強度值，用該多個基線衍射強度值中的最大值除以最小值，在所得的值為1.9以下的情況下選擇作為單晶硅制造用原料。

7.如權利要求4所述的多晶硅棒的選擇方法，其中，分別對于所述兩片以上板狀試樣，對密勒指數面<111>和<220>兩者進行所述φ掃描，求出用對于密勒指數面<111>得到的圖表的基線的衍射強度值(I^<111>)除以對于密勒指數面<220>得到的圖表的基線的衍射強度值(I^<220>)而得到的值(除法運算值：I^<111>/I^<220>)，在由所述兩片以上板狀試樣求得的多個所述除法運算值中的最大值小于2.5的情況下選擇作為單晶硅制造用原料。

8.如權利要求3～7中任一項所述的多晶硅棒的選擇方法，其中，所述多晶硅棒是利用西門子法生長成的。

9.一種多晶硅棒，其是通過權利要求3～7中任一項所述的方法選擇出的。

10.一種多晶硅塊，其是將權利要求9所述的多晶硅棒進行破碎而得到的。

11.一種單晶硅的制造方法，其使用權利要求9所述的多晶硅棒作為硅原料。

12.一種單晶硅的制造方法，其使用權利要求10所述的多晶硅塊作為原料。