[發明專利]用以接合襯底的裝置及方法有效
| 申請號: | 201380031975.4 | 申請日: | 2013-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN104364882B | 公開(公告)日: | 2018-11-16 |
| 發明(設計)人: | T.瓦根萊特納;M.溫普林格;P.林德納;T.普拉赫;F.庫爾茨 | 申請(專利權)人: | EV集團E·索爾納有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/18 | 分類號: | H01L21/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予紅;劉春元 |
| 地址: | 奧地利圣*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用以 接合 襯底 裝置 方法 | ||
1.一種用以將第一襯底(3)和第二襯底(8)在襯底(3、8)的接觸表面(3k、8k)上接合的方法,其具有以下步驟:
-第一接納設備(1)的第一接納表面(2o)上接納所述第一襯底(3)且第二接納設備(4)的第二接納表面(2o')上接納所述第二襯底(8),
-在接合起始位點(20)上接觸所述接觸表面(3k、8k),
-沿著自所述接合起始位點(20)行進至所述襯底(3、8)的側邊緣(3s、8s)的接合波將所述第一襯底(3)與所述第二襯底(8)接合,
其特征在于:所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)經變形以在所述接合之前和/或在接合期間使所述接觸表面(3k、8k)在所述接合起始位點(20)外對準,
其中所述第一接納設備(1)的所述第一接納表面(2o)凸形和/或凹形地彎曲,且所述第一接納表面(2o)的曲率半徑是可調整的。
2.如權利要求1的方法,其中所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)的變形取決于對于所述接合波的行進的給定影響因素發生。
3.如權利要求1的方法,其中所述接合起始位點(20)布置在所述接觸表面(3k、8k)的中心。
4.如權利要求1至3中任一項的方法,其中所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)的變形在其側向方向上實現。
5.如權利要求1至3中任一項的方法,其中變形經由所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)的膨脹或壓縮或彎曲而實現。
6.如權利要求1至3中任一項的方法,其中所述襯底(3、8)的直徑(d1、d2)彼此偏離小于5 mm。
7.如權利要求6的方法,其中所述襯底(3、8)的直徑(d1、d2)彼此偏離小于3 mm。
8.如權利要求7的方法,其中所述襯底(3、8)的直徑(d1、d2)彼此偏離小于1 mm。
9.如權利要求1至3中任一項的方法,其中所述變形經由機械致動構件和/或經由所述第一和/或第二接納設備(1、4)的溫度控制而發生。
10.如權利要求1至3中任一項的方法,其中將所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)僅固定于所述第一和/或第二接納表面(2o、2o')上的所述側邊緣(3s、8s)的區域中。
11.一種用以將第一襯底(3)與第二襯底(8)在襯底(3、8)的接觸表面(3k、8k)上接合的裝置,其具有:
用以在第一接納表面(2o)上接納所述第一襯底(3)的第一接納設備(1)及用以在第二接納表面(2o')上接納所述第二襯底(8)的第二接納設備(4),
用以在接合起始位點(20)上接觸所述接觸表面(3k、8k)的接觸構件,
其特征在于具有:
用以使所述第一襯底(3)和/或所述第二襯底(8)變形以在所述接合之前和/或在接合期間使所述接觸表面(3k、8k)在所述接合起始位點(20)外對準的變形構件,
其中所述第一接納設備(1)的所述第一接納表面(2o)凸形和/或凹形地變形,且所述第一接納表面(2o)的曲率半徑是可調整的。
12.如權利要求11的裝置,其中所述變形構件包含所述第一接納設備(1),所述第一接納設備(1)能在其側向方向上在所述第一接納表面(2o)上變形。
13.如權利要求11的裝置,其中所述變形構件包含所述第二接納設備(4),所述第二接納設備(4)能在其側向方向上在所述第二接納表面(2o')上變形。
14.如權利要求11的裝置,其中所述變形構件包含所述第二接納設備(4),所述第二接納設備(4)能凸形或凹形地變形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





