[發(fā)明專(zhuān)利]基于光譜敏感度及工藝變化的測(cè)量配方優(yōu)化在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380031757.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104395996A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 史帝藍(lán)·伊凡渥夫·潘戴夫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/66;G01N21/956 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 光譜 敏感度 工藝 變化 測(cè)量 配方 優(yōu)化 | ||
1.一種方法,其包括:
接收與使用測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合執(zhí)行的目標(biāo)結(jié)構(gòu)的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的第一數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù);
確定包含第一參數(shù)集合的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的第一測(cè)量模型;
接收與所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的一定數(shù)量的工藝變化數(shù)據(jù);
確定所述第一測(cè)量模型對(duì)所述第一參數(shù)集合的變化的光譜敏感度;
將所述第一測(cè)量模型變換為包含第二參數(shù)集合的所述結(jié)構(gòu)的第二測(cè)量模型,其中所述第一模型的所述變換是基于所述第一測(cè)量模型的所述光譜敏感度及所述一定數(shù)量的工藝變化數(shù)據(jù),且其中所述第二參數(shù)集合不同于所述第一參數(shù)集合;
確定與使用縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合執(zhí)行的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的第二數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù);
確定所述第二數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù)對(duì)所述第二測(cè)量模型的回歸的結(jié)果與所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的參考測(cè)量的結(jié)果之間的差;及
將所述縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其進(jìn)一步包括:
確定所述第二數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù)對(duì)所述第二測(cè)量模型的所述回歸的所述結(jié)果與所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的所述參考測(cè)量之間的所述差是否超過(guò)閾值;及
如果所述差未超過(guò)所述閾值,那么將所述縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其進(jìn)一步包括:
如果所述差的確超過(guò)所述閾值,那么確定與使用第二縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合執(zhí)行的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的第三數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一參數(shù)集合包含至少一個(gè)幾何參數(shù)及至少一個(gè)色散參數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中將所述結(jié)構(gòu)的所述第一模型所述變換到所述結(jié)構(gòu)的所述第二模型涉及將所述第一參數(shù)集合的自由度的數(shù)目減小到所述第二參數(shù)集合的自由度的較小數(shù)目。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述一定數(shù)量的工藝變化數(shù)據(jù)包含以下任一者:約束方程式,其定義兩個(gè)或兩個(gè)以上參數(shù)之間的關(guān)系;相關(guān)矩陣,其定義兩個(gè)或兩個(gè)以上參數(shù)之間的所述關(guān)系;及所期望配置文件集合,其由用戶(hù)選擇。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一模型及所述第二模型描述多個(gè)目標(biāo)。
8.一種用以基于光譜敏感度及工藝變化數(shù)據(jù)產(chǎn)生優(yōu)化測(cè)量配方的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:
光學(xué)度量系統(tǒng),其包含照明源及檢測(cè)器,所述光學(xué)度量系統(tǒng)經(jīng)配置以使用測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合對(duì)目標(biāo)結(jié)構(gòu)執(zhí)行測(cè)量;及
計(jì)算系統(tǒng),其經(jīng)配置以:
接收與使用所述測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合執(zhí)行的目標(biāo)結(jié)構(gòu)的所述測(cè)量相關(guān)聯(lián)的第一數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù);
確定包含第一參數(shù)集合的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的第一測(cè)量模型;
接收與所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的一定數(shù)量的工藝變化數(shù)據(jù);
確定所述第一測(cè)量模型對(duì)所述第一參數(shù)集合的變化的光譜敏感度;
將所述第一測(cè)量模型變換為包含第二參數(shù)集合的所述結(jié)構(gòu)的第二測(cè)量模型,其中所述第一模型的所述變換是基于所述第一測(cè)量模型的所述光譜敏感度及所述一定數(shù)量的工藝變化數(shù)據(jù),且其中所述第二參數(shù)集合不同于所述第一參數(shù)集合;
確定與使用縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合執(zhí)行的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的第二數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù);
確定所述第二數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù)對(duì)所述第二測(cè)量模型的回歸的結(jié)果與所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的參考測(cè)量的結(jié)果之間的差;及
將所述縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中所述計(jì)算系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置以:
確定所述第二數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù)對(duì)所述第二測(cè)量模型的所述回歸的所述結(jié)果與所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的所述參考測(cè)量之間的所述差是否超過(guò)閾值;及
如果所述差未超過(guò)所述閾值,那么將所述縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng),其中所述計(jì)算系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置以:
如果所述差的確超過(guò)所述閾值,那么確定與使用第二縮減的測(cè)量技術(shù)及機(jī)器參數(shù)值集合執(zhí)行的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的第三數(shù)量的測(cè)量數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中所述第一參數(shù)集合包含至少一個(gè)幾何參數(shù)及至少一個(gè)色散參數(shù)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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