[發明專利]固體攝像裝置的制造方法及固體攝像裝置有效
| 申請號: | 201380031690.0 | 申請日: | 2013-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN104396016B | 公開(公告)日: | 2017-03-29 |
| 發明(設計)人: | 米田康人;瀧澤涼都;石原真吾;鈴木久則;村松雅治 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/14 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 制造 方法 | ||
1.一種固體攝像裝置的制造方法,其特征在于,
包括:
第1工序,其準備攝像元件,該攝像元件包含入射能量線的第1主面、與所述第1主面相對且配置有電極的第2主面、及對入射的能量線進行光電轉換而產生信號電荷的光電轉換部;
第2工序,其準備設置有沿厚度方向延伸的貫通孔且具有相互相對的第3及第4主面的支撐基板;
第3工序,其以所述第2主面與所述第3主面相對且所述電極自所述貫通孔露出的方式對所述攝像元件與所述支撐基板進行定位并接合所述攝像元件與所述支撐基板;及
第4工序,其在所述第3工序之后,將具有導電性的球狀構件配置于所述貫通孔內并使其與所述電極電連接。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,
在所述第3工序之后且所述第4工序之前在所述電極上形成鍍膜。
3.如權利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述貫通孔隨著自所述第3主面朝向所述第4主面而擴大直徑。
4.如權利要求1至3中任一項所述的方法,其特征在于,
在所述支撐基板上,以多個所述電極對應于一個所述貫通孔的方式,設置有至少一個所述貫通孔,
在所述第3工序中,以多個所述電極自一個所述貫通孔露出的方式,對所述攝像元件與所述支撐基板進行定位,
在所述第4工序中,在各個所述電極上,所述球狀構件被逐一地電性接合。
5.如權利要求1至4中任一項所述的方法,其特征在于,
在所述支撐基板上,以一個所述電極對應于一個所述貫通孔的方式,設置有至少一個所述貫通孔,
在所述第3工序中,以一個所述電極自一個所述貫通孔露出的方式,對所述攝像元件與所述支撐基板進行定位,
在所述第4工序中,在各個所述電極上,所述球狀構件被逐一地電性接合。
6.如權利要求1至5中任一項所述的方法,其特征在于,
在所述貫通孔內配置有樹脂材料。
7.如權利要求1至6中任一項所述的方法,其特征在于,
在所述第1工序中所準備的所述攝像元件的所述電極及所述第2主面由平坦化膜覆蓋,
在所述第3工序之后且所述第4工序之前,以所述電極的表面的至少一部分露出的方式除去所述平坦化膜的一部分。
8.一種固體攝像裝置,其特征在于,
包括:
攝像元件,其包含入射能量線的第1主面、與所述第1主面相對且配置有電極的第2主面、及對入射的能量線進行光電轉換而產生信號電荷的光電轉換部;
支撐基板,其設置有沿厚度方向延伸的貫通孔且具有相互相對的第3及第4主面,以所述第3主面與所述第2主面相對且所述電極自所述貫通孔露出的方式與所述攝像元件接合;及
球狀構件,其具有導電性,且配置于所述貫通孔內并與所述電極電連接。
9.如權利要求8所述的固體攝像裝置,其特征在于,
在所述電極上形成有鍍膜。
10.如權利要求8或9所述的固體攝像裝置,其特征在于,
所述貫通孔隨著自所述第3主面朝向所述第4主面而擴大直徑。
11.如權利要求8至10中任一項所述的固體攝像裝置,其特征在于,
在所述支撐基板上,以多個所述電極自一個所述貫通孔露出的方式,設置有至少一個所述貫通孔,
在所述各電極上,所述球狀構件被逐一地電性接合。
12.如權利要求8至11中任一項所述的固體攝像裝置,其特征在于,
在所述支撐基板上,以一個所述電極自一個所述貫通孔露出的方式,設置有至少一個所述貫通孔,
在所述各電極上,所述球狀構件被逐一地電性接合。
13.如權利要求8至12中任一項所述的固體攝像裝置,其特征在于,
在所述貫通孔內配置有樹脂材料。
14.如權利要求8至13中任一項所述的固體攝像裝置,其特征在于,
還包括覆蓋所述第2主面的平坦化膜,
所述電極的表面的至少一部分自所述平坦化膜露出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





