[發(fā)明專利]功率模塊的劣化探測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380031019.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104380126B | 公開(公告)日: | 2017-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古谷真一;田中輝明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26;G01R31/42;H02M7/48 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人: | 張麗 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 模塊 探測(cè) 裝置 | ||
1.一種功率模塊的劣化探測(cè)裝置,探測(cè)內(nèi)置有半導(dǎo)體芯片的功率模塊的劣化,
具備劣化探測(cè)處理部,該劣化探測(cè)處理部根據(jù)檢測(cè)所述半導(dǎo)體芯片的溫度而得到的溫度信號(hào)中包含的交流信號(hào)、與檢測(cè)所述半導(dǎo)體芯片的電力損耗而得到的電力損耗信號(hào)中包含的交流分量之間的傳遞特性,進(jìn)行劣化探測(cè)處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊的劣化探測(cè)裝置,其特征在于,
所述劣化探測(cè)處理部具備:
溫度檢測(cè)部,檢測(cè)所述半導(dǎo)體芯片的溫度,輸出溫度信號(hào);
電力損耗檢測(cè)部,檢測(cè)所述半導(dǎo)體芯片的電力損耗,輸出電力損耗信號(hào);
溫度信號(hào)解析部,解析所述溫度信號(hào)中包含的各交流信號(hào)的頻率分量;
電力損耗信號(hào)解析部,解析所述電力損耗信號(hào)中包含的各交流信號(hào)的頻率分量;以及
劣化判定部,根據(jù)由所述兩個(gè)解析部電力損耗解析出的所述溫度信號(hào)和所述電力損耗信號(hào)的各交流信號(hào)的頻率分量,判定所述功率模塊的劣化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率模塊的劣化探測(cè)裝置,其特征在于,
所述劣化判定部?jī)H在所述溫度信號(hào)和所述電力損耗信號(hào)分別包含規(guī)定的頻帶的交流分量的情況下進(jìn)行劣化判定。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的功率模塊的劣化探測(cè)裝置,其特征在于,
所述劣化判定部通過將所述溫度信號(hào)中包含的交流分量和所述電力損耗信號(hào)中包含的交流分量之間的傳遞特性與規(guī)定的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較來進(jìn)行劣化判定。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的功率模塊的劣化探測(cè)裝置,其特征在于,
在所述功率模塊內(nèi)置有多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的情況下,所述劣化判定部針對(duì)每個(gè)所述半導(dǎo)體芯片,求出所述溫度信號(hào)中包含的交流分量和所述電力損耗信號(hào)中包含的交流分量之間的傳遞特性,在各半導(dǎo)體芯片之間比較所述傳遞特性,從而進(jìn)行劣化判定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊的劣化探測(cè)裝置,其特征在于,
所述劣化探測(cè)處理部具備:
溫度檢測(cè)部,檢測(cè)所述半導(dǎo)體芯片的溫度,輸出溫度信號(hào);
電流檢測(cè)部,檢測(cè)所述半導(dǎo)體芯片中流過的電流,輸出電流信號(hào);
判定用信號(hào)計(jì)算部,將由所述電流檢測(cè)部檢測(cè)到的電流信號(hào)用作成為傅立葉解析的基準(zhǔn)的基底信號(hào),求出由所述溫度檢測(cè)部得到的所述溫度信號(hào)中包含的各交流信號(hào)的傅立葉系數(shù)的大小,并將其作為判定用信號(hào)而輸出;以及
劣化判定部,根據(jù)由所述判定用信號(hào)計(jì)算部得到的判定用信號(hào),判定所述功率模塊的劣化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率模塊的劣化探測(cè)裝置,其特征在于,
所述判定用信號(hào)計(jì)算部?jī)H在所述電流信號(hào)和所述溫度信號(hào)分別包含規(guī)定的頻帶的交流分量的情況下輸出判定信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或者7所述的功率模塊的劣化探測(cè)裝置,其特征在于,
設(shè)置有載波頻率校正部,該載波頻率校正部對(duì)在向所述半導(dǎo)體芯片的開關(guān)指令的生成中所使用的載波頻率,重疊所述規(guī)定的頻帶的交流分量。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試





